[发明专利]显示面板的制备方法、显示面板以及显示装置

说明书

本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板的制备方法、显示面板以及显示装置。其中，显示面板的制备方法包括：在衬底的一面制备阵列排布的容纳结构；在容纳结构的侧壁上制备高熔点反射层，形成防光串扰结构；在防光串扰结构内生长LED外延结构，形成LED芯片；将防光串扰结构和LED芯片转移至驱动基板上。本公开的技术方案，解决了通过巨量转移技术容易伤到发光单元，从而降低发光单元的优良率的问题，以及避免了利用量子点色转换技术制备全彩化显示面板导致显示面板的发光效率较低的问题，有利于提高显示面板的发光效率，以及有利于防止相邻LED芯片之间发生光串扰的问题。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板的制备方法、显示面板以及显示装置。

背景技术

微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro-LED)显示技术是指以自发光的微米量级的LED为发光单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。相关技术中的Micro-LED全彩化显示面板的制备方法，通过巨量转移技术将不同颜色的发光单元组装到驱动面板上，或者利用量子点色转换技术在驱动面板上形成不同颜色的发光单元。

其中，巨量转移技术包括精准抓取、自组装、选择性释放和转印技术。巨量转移技术需将晶圆上的发光单元转移至发光面板上，而Micro-LED单颗发光单元只有2-20um，一个发光面板上有几十万到几百万颗发光单元，一片晶圆上有几亿-几十亿颗发光单元，如果全部切割下来，时间很长，且切割到最小仅可以做到25-35um，切割时很容易伤到发光单元，降低发光单元的优良率。而量子点色转换技术是在单色例如蓝光LED发光芯片上添加色转换层，导致制备的发光面板的发光效率较低。

发明内容

为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本公开提供了一种显示面板的制备方法、显示面板以及显示装置，解决了通过巨量转移技术容易伤到发光单元，从而降低发光单元的优良率的问题，以及避免了利用量子点色转换技术制备全彩化显示面板导致显示面板的发光效率较低的问题，有利于提高发光效率，以及有利于防止相邻LED芯片之间发生光串扰的问题。

第一方面，本公开提供了一种显示面板的制备方法，包括：

在衬底的一面制备阵列排布的容纳结构；

在所述容纳结构的侧壁上制备高熔点反射层，形成防光串扰结构；

在所述防光串扰结构内生长LED外延结构，形成LED芯片；

将所述防光串扰结构和所述LED芯片转移至驱动基板上。

在一些实施例中，在衬底的一面制备阵列排布的容纳结构，包括：

在衬底的一面覆盖光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光显影，保留图形化所在位置的所述光刻胶层；

刻蚀图形化以外的第一厚度衬底，保留图形化所在位置的第一厚度衬底；

对应所述图形化所在位置的第一厚度衬底进行刻蚀，形成容纳结构；

去除所述光刻胶层。

在一些实施例中，在所述容纳结构的侧壁上制备高熔点反射层，包括：

在所述衬底形成有容纳结构的一面覆盖高熔点反射材料；

在所述高熔点反射材料上覆盖光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光显影，保留所述容纳结构投影区域对应的光刻胶层；

对所述高熔点反射材料进行刻蚀，保留覆盖所述光刻胶层的高熔点反射材料；

刻蚀所述高熔点反射材料，以在所述容纳结构的侧壁上形成高熔点反射层；

去除所述光刻胶层。

在一些实施例中，将所述防光串扰结构和所述LED芯片转移至驱动基板上，包括：

将衬底上制备的LED芯片与驱动基板键合；

通过剥离工艺使所述衬底与所述LED芯片脱离。