[发明专利]一种透明态氧化镍薄膜及其制备方法与电致变色器件在审
申请号: | 202310782954.1 | 申请日: | 2023-06-29 |
公开(公告)号: | CN116657092A | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 包山虎;梁锐生;许生;杨春林 | 申请(专利权)人: | 深圳豪威显示科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/08 | 分类号: | C23C14/08;C23C14/34;G02F1/1524 |
代理公司: | 深圳市锟剑恒富知识产权代理有限公司 44769 | 代理人: | 黄晓笛 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 透明 氧化 薄膜 及其 制备 方法 变色 器件 | ||
1.一种透明态氧化镍薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
在通水及加热基板条件下,以直流电源反应溅射方法制备透明态氧化镍薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种透明态氧化镍薄膜的制备方法,其特征在于,制备条件为本底真空1×10-5~5×10-3Pa,基板温度为200~600℃,镀膜时间为20min~1h,工作气压为0.5~5Pa,溅射工作气氛为氧、氩混合气,氧气比例为5~90%,溅射功率密度为0.5~5.0W/cm2。
3.根据权利要求1或2所述的一种透明态氧化镍薄膜的制备方法,其特征在于,所述通水是在腔体中通过微漏阀通入一定量的去离子水,使得腔体内真空度从10-5级变成10-3或更低的真空度。
4.根据权利要求3所述的一种透明态氧化镍薄膜的制备方法,其特征在于,所述透明态氧化镍薄膜制备在透明导电薄膜上,透明导电薄膜是沉积在透明基板上的ITO、FTO或AZO。
5.根据权利要求1~4任一项所述的制备方法制备得到的透明态氧化镍薄膜,其特征在于,透明态氧化镍薄膜化学组成为NiOxHy(1≤x≤3,0≤y≤2)。
6.根据权利要求5所述的透明态氧化镍薄膜,其特征在于,透明态氧化镍薄膜中的镍是以镍的二价,三价的两种价态存在的NiO、Ni2O3、Ni(OH)2、或NiOOH的任意组合、以任意比例构成的薄膜材料。
7.根据权利要求5或6所述的透明态氧化镍薄膜,其特征在于,透明态氧化镍薄膜为晶型或者无定型的精细薄膜结构,透明不导电材料。
8.根据权利要求7所述的透明态氧化镍薄膜,其特征在于,透明态氧化镍薄膜厚度为50~500nm。
9.一种包含权利要求5~8任一项所述的透明态氧化镍薄膜的电致变色器件。
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