[发明专利]一种NOR型存储组及其制备方法、存储芯片

权利要求书

1.一种NOR型存储组，其特征在于，包括：衬底及位于所述衬底上的多个存储单元组；

每个所述存储单元组包括两个存储单元，每个所述存储单元包括漏极、源极、导电沟道、侧栅极和存储结构；所述漏极与所述导电沟道远离所述衬底的一端连接，所述源极与所述导电沟道靠近所述衬底的一端连接；同一个存储单元组内的两个存储单元的侧栅极分别位于所述导电沟道的两侧；

所述存储组中所有存储单元的导电沟道由一片半导体鳍提供；

所述半导体鳍包括多个相连接的柱体，每一所述存储单元组对应至少一个所述柱体；在一个存储单元组中，至少一个所述柱体位于两个侧栅极之间；

所述存储结构位于所述侧栅极与所述导电沟道之间，所述存储结构围绕所述半导体鳍设置。

2.根据权利要求1所述的NOR型存储组，其特征在于，所述半导体鳍还包括多个连接体；

相邻所述柱体通过所述连接体连接；

在所述侧栅极与所述导电沟道的排列方向上，所述连接体的宽度小于所述柱体的宽度。

3.根据权利要求1所述的NOR型存储组，其特征在于，所述柱体为圆柱体、椭圆柱体、长方体或斜柱体。

4.根据权利要求1所述的NOR型存储组，其特征在于，多个存储单元组位于所述衬底的第一表面；

所述源极、所述导电沟道和所述漏极连接形成的直线，与所述第一表面之间的角度大于10度且小于或等于90度。

5.根据权利要求1所述的NOR型存储组，其特征在于，在所述侧栅极与所述导电沟道的排列方向上，所述源极的宽度大于或等于所述导电沟道的宽度。

6.根据权利要求1所述的NOR型存储组，其特征在于，每一所述存储单元组对应至少两个所述柱体；

在同一所述存储单元组中，至少两个所述柱体在所述衬底的投影相切。

7.根据权利要求1所述的NOR型存储组，其特征在于，所述存储结构包括：隧穿介质层、电荷存储层和阻断介质层；

所述隧穿介质层紧邻所述导电沟道且与所述导电沟道接触；

所述电荷存储层紧邻所述隧穿介质层且通过所述隧穿介质层与所述导电沟道的部分区段对应设置；

所述阻断介质层位于所述侧栅极与所述电荷存储层之间且与所述导电沟道的全部区段对应设置。

8.一种NOR型存储组的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成多个存储单元组；其中，每个存储单元组包括两个存储单元，每个所述存储单元包括漏极、源极、导电沟道、侧栅极和存储结构；所述漏极与所述导电沟道远离所述衬底的一端连接，所述源极与所述导电沟道靠近所述衬底的一端连接；同一个存储单元组内的两个存储单元的侧栅极分别位于所述导电沟道的两侧；

形成多个所述存储单元组包括：

在所述衬底上形成漏极和源极；其中，所述漏极与所述导电沟道远离所述衬底的一端连接，所述源极与所述导电沟道靠近所述衬底的一端连接；

形成一片半导体鳍；

形成所述存储单元的导电沟道；其中，所述存储组中所有存储单元的导电沟道由所述半导体鳍提供；所述半导体鳍包括多个相连接的柱体，每一所述存储单元组对应至少一个所述柱体；在一个存储单元组中，至少一个所述柱体位于两个侧栅极之间；

形成所述存储结构；其中，所述存储结构位于所述侧栅极与所述导电沟道之间，所述存储结构围绕所述半导体鳍设置；

形成所述侧栅极；其中，同一存储单元组内的两个存储单元的侧栅极分别位于所述半导体鳍的两侧。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述源极、所述导电沟道与所述漏极连接形成的直线，与所述衬底之间的角度大于10度且小于90度时，所述形成一片半导体鳍包括：

采用各向异性的刻蚀方法，在所述衬底内部刻蚀出与所述衬底成预设角度的硅鳍；其中，所述预设角度大于10度且小于90度。

10.一种存储芯片，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的NOR型存储组。