[发明专利]一种提升晶圆良率的方法

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种提升晶圆良率的方法，包括以下步骤：S1、晶圆转至研磨平台上方，研磨液预流；S2、研磨垫调整器移动至研磨垫上方，之后研磨垫调整器下降到研磨垫上并给研磨垫施压；S3、晶圆随着研磨头开始研磨，研磨垫调整器进行研磨垫整理；S4、晶圆研磨结束，研磨垫调整器回到研磨垫边缘并升起来；S5、高压喷水打开，清洗研磨垫及晶圆，此时，晶圆随研磨头压在研磨垫上做清洗，清洗完成后，晶圆随研磨头升起来；S6、研磨垫调整器清理研磨垫结束，归位到初始位置；本发明提供的一种提升晶圆良率的方法，解决了现有方法对研磨垫沟槽内残留物的清理效果欠佳，从而影响产品良率的问题。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种提升晶圆良率的方法。

背景技术

CMP(Chemical Mechanical Planarization)中pad conditioner(研磨垫调整器)是通过金刚石研磨盘的作用在于对研磨垫表面聚氨酯进行调整而保持粗糙度，研磨液均匀性的分布于研磨垫表面，以及去除研磨液副产物；而这些作用对于晶圆的表面平整度，也就是轮廓的好坏，晶圆的缺陷等都起着至关重要的作用。

现有的化学机械研磨方法基本固定于一定研磨时间，一定研磨液流量，一定的研磨步骤下，通过研磨垫调整器的作用对于固定的研磨液输出做一定调整与分布。我们知道，CMP各种工艺在研磨后会产生各种副产物，一方面它们积累于研磨垫沟槽中，另一方面，它们积累于金刚石磨盘上，这些因素既导致了晶圆出现产品缺陷的可能性，降低了产品良率；又降低了研磨垫及金刚石研磨盘的使用寿命；一般情况下，如图1所示，化学机械研磨方法分为以下几种步骤，晶圆转至研磨垫上方，研磨液预流，晶圆做研磨，研磨垫调整器同时做调整动作，研磨完调整器回位，高压喷水打开清理研磨垫，晶圆研磨结束。晶圆在研磨头的压力作用下压于研磨垫之上，并做高速旋转，同时金刚石研磨盘及研磨平台做同向高速运转，加以研磨液的输出及反应，大量的研磨液副产物不时的排出，影响到了整体晶圆的清洁度，而现有方法仅仅在晶圆研磨结束后通过高压喷水对研磨垫进行清理，此种方法对研磨垫沟槽内残留物的清理效果欠佳，从而影响产品良率。

发明内容

本发明的目的是提供一种提升晶圆良率的方法，用以解决现有技术中存在的至少一个上述问题。

为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种提升晶圆良率的方法，包括以下步骤：

S1、晶圆转至研磨平台上方，研磨液预流；

S2、研磨垫调整器移动至研磨垫上方，之后研磨垫调整器下降到研磨垫上并给研磨垫施压；

S3、晶圆随着研磨头开始研磨，研磨垫调整器进行研磨垫整理；

S4、晶圆研磨结束，研磨垫调整器回到研磨垫边缘并升起来；

S5、高压喷水打开，清洗研磨垫及晶圆，此时，晶圆随研磨头压在研磨垫上做清洗，清洗完成后，晶圆随研磨头升起来；

S6、研磨垫调整器清理研磨垫结束，归位到初始位置；

在S2中磨垫调整器给研磨垫施压并开始做研磨垫预整理；和/或者，S5完成之后，高压喷水继续清理，同时研磨垫调整器清理盘下降到研磨垫并做出旋转及清扫的清理动作，研磨垫调整器清理盘升起来并回到研磨垫边缘，之后在再继续S6。