[发明专利]一种提升晶圆良率的方法

权利要求书

1.一种提升晶圆良率的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、晶圆转至研磨平台上方，研磨液预流；

S2、研磨垫调整器移动至研磨垫上方，之后研磨垫调整器下降到研磨垫上并给研磨垫施压；

S3、晶圆随着研磨头开始研磨，研磨垫调整器进行研磨垫整理；

S4、晶圆研磨结束，研磨垫调整器回到研磨垫边缘并升起来；

S5、高压喷水打开，清洗研磨垫及晶圆，此时，晶圆随研磨头压在研磨垫上做清洗，清洗完成后，晶圆随研磨头升起来；

S6、研磨垫调整器清理研磨垫结束，归位到初始位置；

在S2中磨垫调整器给研磨垫施压并开始做研磨垫预整理；和/或者，S5完成之后，高压喷水继续清理，同时研磨垫调整器清理盘下降到研磨垫并做出旋转及清扫的清理动作，研磨垫调整器清理盘升起来并回到研磨垫边缘，之后在再继续S6。

2.根据权利要求1所述的一种提升晶圆良率的方法，其特征在于：S1中，研磨液预流时长为3～5秒。

3.根据权利要求1所述的一种提升晶圆良率的方法，其特征在于：S2中，研磨垫调整器给研磨垫施压5～5.5psi，研磨垫预整理时间为4～6秒。

4.根据权利要求1所述的一种提升晶圆良率的方法，其特征在于：S2中，研磨垫预整理过程中研磨液流量为190～210ml/min。

5.根据权利要求1所述的一种提升晶圆良率的方法，其特征在于：S3中，研磨液流量为190～210ml/min，研磨垫整理时长为40～45秒。

6.根据权利要求1所述的一种提升晶圆良率的方法，其特征在于：S5中，清洗研磨垫及晶圆的研磨液流量为5.5～6L/min，清洗时长为8～10秒。

7.根据权利要求1所述的一种提升晶圆良率的方法，其特征在于：S5中，清洗完成后，晶圆在4～6秒时升起来。

8.根据权利要求1所述的一种提升晶圆良率的方法，其特征在于：研磨垫调整器清理盘下降到研磨垫并做出旋转及清扫的清理动作5～8秒。