[发明专利]量测方法和相关装置

说明书

本公开涉及量测方法和相关装置。公开了一种用于确定与特征的边缘有关的边缘位置的方法和相关装置，特征被包括在包括噪声的图像(诸如扫描电子显微镜图像)内。该方法包括从图像确定参考信号；以及确定相对于上述参考信号的边缘位置。通过在与估计边缘位置的初始轮廓平行的方向上应用图像至一维低通滤波器，可以从图像确定参考信号。

相关申请的交叉引用

本申请是国际申请号为PCT/EP2019/055714、国际申请日为2019年3月7日、进入中国国家阶段日期为2020年9月21日、中国国家申请号为201980020816.1、发明名称为“量测方法和相关装置”的发明专利申请的分案申请

本申请要求于2018年3月23日提交的欧洲专利申请18163680.4的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明涉及在光刻过程中将图案应用到衬底上的方法和装置及其测量。

背景技术

光刻设备是一种将期望图案应用到衬底上、通常是应用到衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将图案化装置(其替代地称为掩模或掩模版)用于生成要形成在IC的单个层上的电路图案。该图案可以被转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或若干管芯的一部分)上。图案的转印通常是经由成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行的。通常，单个衬底将包含连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括：所谓的步进器，其中通过将整个图案一次曝光到目标部分上来照射每个目标部分；以及所谓的扫描器，其中通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射束扫描图案来照射每个目标部分，同时同步地平行或反平行于该方向扫描衬底。也可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案化装置转印到衬底上。

为了监测光刻工艺，测量图案化衬底的参数。例如，参数可以包括在图案化衬底中或在其上形成的连续层之间的重叠误差、以及显影的光致抗蚀剂的临界线宽或临界尺寸(CD)。该测量可以在产品衬底和/或专用量测目标上执行。有多种技术用于测量在光刻过程中形成的微观结构，包括使用扫描电子显微镜和各种专用工具。

在执行光刻过程时，诸如在衬底上施加图案或测量这种图案时，使用工艺控制方法来监测和控制工艺。通常执行这种工艺控制技术以获取用于控制光刻工艺的校正。期望改进这样的工艺控制方法。

发明内容

在本发明的第一方面，提供一种确定与特征的边缘有关的边缘位置的方法，所述特征被包括在包括噪声的图像内；上述方法包括：从上述图像确定参考信号；以及，相对于上述参考信号确定上述边缘位置。

在本发明的第二方面，提供了一种计算装置，该计算装置包括处理器，并且被配置为执行第一方面的方法。

在本发明的第三方面，提供了一种扫描电子显微镜检查装置，该装置能够操作以在衬底上成像多个特征，并且包括第二方面的计算装置。

在本发明的第四方面，提供了一种计算机程序，该计算机程序包括程序指令，该程序指令能够操作以当在合适的装置上运行时执行第一方面的方法。

下面参考附图详细描述本发明的其他方面、特征和优点、以及本发明的各种实施例的结构和操作。注意，本发明不限于本文中描述的特定实施例。本文中提出这样的实施例仅用于说明性目的。基于本文中包含的教导，其他实施例对相关领域的技术人员将是很清楚的。

附图说明

现在将参考附图以示例方式描述本发明的实施例，在附图中：

图1描绘了光刻设备，其与其他装置一起形成用于半导体器件的生产设施；

图2是描绘根据本发明的实施例的方法的第一示例流程图；

图3是在所提出的方法的第一迭代和第二迭代之后的参考SEM信号的图；以及