[发明专利]半导体测试结构及测试方法、测试系统

权利要求书

1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括：

一公共焊盘，用于接收公共电压；

多个测试电路，均与所述公共焊盘电连接，每一所述测试电路用于对一待测组件进行介质层可靠性测试，每一所述测试电路均包括：

支路焊盘，与所述待测组件的第一测试端电连接，用于接收测试电压，所述测试电压大于所述公共电压；

开关单元，所述开关单元的控制端电连接至所述支路焊盘，其第一端电连接至所述待测组件的第二测试端，其第二端电连接至所述公共焊盘，所述开关单元响应于所述待测组件的击穿而开启，以抬升所述支路焊盘上的电流至预设阈值电流，以判定所述待测组件失效；

保护单元，所述保护单元的第一端电连接至所述待测组件的第二测试端，其第二端连接至所述公共焊盘，用于在所述待测组件发生击穿时断开所述待测组件与所述公共焊盘之间的电流通路；

其中，当判定所述待测组件失效时，停止对所述待测组件所在测试电路的支路焊盘施加测试电压。

2.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述开关单元包括场效应晶体管，所述场效应晶体管的栅极作为所述开关单元的控制端，其漏极作为所述开关单元的第一端，其源极和衬底短接后作为所述开关单元的第二端。

3.根据权利要求2所述的半导体测试结构，其特征在于，所述预设阈值电流为所述场效应晶体管开启时的饱和电流。

4.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述保护单元包括保险丝。

5.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述测试电路还包括分压限流单元，所述分压限流单元串接在所述支路焊盘与所述开关单元之间，用于对所述开关单元进行分压，以及在所述开关单元开启时对所述开关单元进行限流。

6.根据权利要求5所述的半导体测试结构，其特征在于，所述分压限流单元采用电容器。

7.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述测试电路还包括滤波单元，所述滤波单元串接在所述支路焊盘与所述公共焊盘之间，并与所述开关单元并联。

8.根据权利要求7所述的半导体测试结构，其特征在于，所述滤波单元采用电容器。

9.一种测试系统，其特征在于，包括：

多个待测组件，每一所述待测组件具有第一测试端与第二测试端；

半导体测试结构，所述半导体测试结构采用权利要求1～8任一项所述的半导体测试结构，用于对多个待测组件同时进行介质层可靠性测试，并在一测试电路的开关单元响应于电连接至该测试电路的待测组件的击穿而开启、抬升该测试电路的支路焊盘上的电流至预设阈值电流，判定该待测组件失效，并通过测试电路的保护单元断开该待测组件与公共焊盘之间的电流通路，并停止对所述待测组件所在测试电路的支路焊盘施加测试电压。

10.一种半导体测试方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一半导体测试结构以及多个待测组件，其中，所述待测组件具有第一测试端以及第二测试端，所述半导体测试结构采用如权利要求1～8任一项所述的半导体测试结构；

于每一所述支路焊盘处施加测试电压、于所述公共焊盘处施加公共电压，以对多个待测组件同时进行介质层可靠性测试，并获取每一所述测试电路中通过的电流，其中，所述测试电压大于所述公共电压；

当一测试电路中支路焊盘上的电流抬升至预设阈值电流时，以判定该测试电路的待测组件失效，通过所述保护单元断开该待测组件与所述公共焊盘之间的电流通路，并停止对该测试电路的支路焊盘施加测试电压；

当判定所有测试电路中的待测组件均失效时，结束测试。