[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有栅极，所述栅极的侧壁上形成有第一侧墙，且所述第一侧墙覆盖所述栅极两侧的部分衬底，所述第一侧墙上形成有第二侧墙，所述第二侧墙覆盖所述第一侧墙的侧面和顶面；

去除部分所述第二侧墙，使覆盖所述衬底的部分第一侧墙的顶面被暴露；

进行离子注入工艺，在所述栅极两侧的未被所述第二侧墙覆盖的衬底内形成离子注入区，所述离子注入区中远离所述栅极且未被所述第一侧墙覆盖的部分具有第一深度，所述离子注入区中靠近所述栅极且被所述第一侧墙覆盖的部分具有第二深度，所述第一深度大于所述第二深度；以及，

去除所述第二侧墙。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在进行所述离子注入工艺之后，去除所述第二侧墙之前，还包括：

进行退火工艺，以修复所述离子注入工艺对所述第一侧墙和所述第二侧墙造成的损伤。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述退火工艺为快速热退火工艺。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述第二侧墙。

5.如权利要求1或4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，去除所述第二侧墙的过程中，未被所述第二侧墙覆盖的部分所述第一侧墙被一同去除，使靠近所述栅极顶部的部分侧壁暴露。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在去除所述第二侧墙之后，还包括：

在所述栅极的顶部、所述栅极中暴露的部分侧壁以及未被所述第一侧墙覆盖的部分衬底上形成金属硅化物阻挡层。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一侧墙沿垂直所述栅极的延伸方向的截面呈L型。

8.如权利要求1或7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一侧墙包括氧化硅层和氮化硅层，所述氧化硅层覆盖所述栅极的侧壁和部分所述衬底，所述氮化硅层形成于所述氧化硅层的表面，所述第二侧墙为氧化硅层。

9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述离子注入的能量可穿透第一侧墙至衬底。

10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件的制造方法用于制造MOS器件。