[发明专利]功率半导体器件、半导体芯片和半导体芯片的制备方法

权利要求书

1.一种功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件包括：

第一掺杂区，所述第一掺杂区被配置为经由设于该第一掺杂区上方的漏极接触接收漏极信号；

栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层和栅电极，所述栅介质层的第一栅介质部分覆盖在所述第一掺杂区的一部分的上方，以及所述栅电极覆盖在所述栅介质层的上方；

第一隔离区，所述第一隔离区嵌设于所述第一掺杂区中，且所述第一隔离区在横向方向上位于所述漏极接触的靠近所述栅极结构的一侧上；以及

第一拓扑材料层，所述第一拓扑材料层包括插置于所述第一掺杂区与所述第一隔离区之间的第一拓扑材料部分，其中，所述第一拓扑材料层的导电性质随着所述栅电极的电位的变化而变化。

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一拓扑材料层被配置为在所述功率半导体器件开启时处于导通状态，以及在所述功率半导体器件关断时处于绝缘状态。

3.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，在所述功率半导体器件开启时，所述第一拓扑材料层的电阻率小于所述第一掺杂区的电阻率；和/或

在所述功率半导体器件关断时，所述第一拓扑材料层的电阻率大于所述第一隔离区的电阻率。

4.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一拓扑材料层由以下中的至少一者形成：钼的硫化物、锡的硫化物、硒的硫化物、钨和硒的化合物、以及石墨烯。

5.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一拓扑材料层包括一层至五层二维原子层。

6.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一拓扑材料层与所述漏极接触直接电连接；和/或

所述第一拓扑材料层与所述源极接触直接电连接。

7.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一掺杂区与所述第一隔离区之间的整个界面都被所述第一拓扑材料部分覆盖。

8.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一拓扑材料层还包括插置于所述第一掺杂区与所述栅介质层之间的第二拓扑材料部分。

9.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件还包括：

第二掺杂区，所述第二掺杂区在横向方向上与所述第一掺杂区相邻接，所述第二掺杂区的掺杂类型与所述第一掺杂区的掺杂类型相反，且所述第二掺杂区被配置为经由设于该第二掺杂区上方的源极接触接收源极信号；以及

所述栅介质层的第二栅介质部分覆盖在所述第二掺杂区的一部分的上方。

10.根据权利要求9所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一拓扑材料层还包括插置于所述第二掺杂区与所述栅介质层之间的第三拓扑材料部分。

11.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件还包括：

第三掺杂区，所述第三掺杂区嵌设于所述第二掺杂区中，所述第三掺杂区的掺杂浓度小于所述源极接触的掺杂浓度，且所述第三掺杂区在横向方向上位于所述源极接触的靠近所述栅极结构的一侧上。

12.根据权利要求11所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一拓扑材料层还包括位于所述第三掺杂区的至少一部分上方的第四拓扑材料部分，以及所述第四拓扑材料部分的至少一部分位于所述栅介质层下方。

13.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件还包括；

界面层，所述界面层直接覆盖于所述第一拓扑材料层上方，且所述界面层被配置为用于所述第一拓扑材料层形成期间的退火过程。