[发明专利]一种半导体器件的制造方法及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体基材，其中，所述半导体基材具有相对的功能器件面和背面；

从所述半导体基材的功能器件面向所述半导体基材开设第一深沟槽，并在所述第一深沟槽中形成第一隔离层以作为隔离区；其中，所述隔离区用于隔离所述半导体基材中的器件区；

从所述半导体基材的背面向所述半导体基材开设第二深沟槽，并在所述第二深沟槽中填充第二隔离层以形成深沟槽隔离结构；其中，所述第二深沟槽处于所述第一深沟槽在所述半导体基材的背面上的投影区域中。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一隔离层为通过外延生长方式生长的第一外延层；所述第二隔离层为绝缘材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述从所述半导体基材的功能器件面向所述半导体基材开设第一深沟槽，并在所述第一深沟槽中形成第一隔离层以作为隔离区，包括：

在所述半导体基材的功能器件面上形成保护层；

从所述保护层远离所述半导体基材的表面，对所述保护层和所述半导体基材进行刻蚀，以形成所述第一深沟槽和第三沟槽；其中，所述第一深沟槽从所述半导体基材的功能器件面向所述半导体基材内部延伸，所述第三沟槽贯穿所述保护层并与所述第一深沟槽连通；

在所述第三沟槽和所述第一深沟槽中形成所述第一隔离层；

至少去除所述第三沟槽中的所述第一隔离层形成浅沟槽；

在所述浅沟槽中填充浅沟槽绝缘层形成浅沟槽隔离结构。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述半导体基材包括衬底和形成在所述衬底一表面上的半导体外延层；其中，所述半导体外延层远离所述衬底的表面作为所述半导体基材的功能器件面，所述衬底远离所述半导体外延层的表面作为所述半导体基材的背面。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

所述第一深沟槽贯穿所述半导体外延层，并延伸至所述衬底的至少部分。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

从所述半导体基材的背面向所述半导体基材开设第二深沟槽，包括：

在所述第一深沟槽对应的所述半导体基材的背面上的投影区域中，从所述半导体基材的背面，去除部分所述半导体基材以及所述第一深沟槽内的部分第一隔离层以形成第二深沟槽；

其中，所述第二深沟槽从所述半导体基材的背面向所述半导体基材内部延伸至所述第一深沟槽中的第一隔离层内部。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

所述第二深沟槽的宽度小于所述第一深沟槽的宽度。

8.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体基材，所述半导体基材具有相对的功能器件面和背面；

第一深沟槽，从所述半导体基材的功能器件面向所述半导体基材内部延伸，且所述第一深沟槽中形成有第一隔离层以作为隔离区；其中，所述隔离区用于隔离所述半导体基材中的器件区；

第二深沟槽，从所述半导体基材的背面向所述半导体基材内部延伸，且所述第二深沟槽中填充有第二隔离层以形成深沟槽隔离结构，其中，所述第二深沟槽处于所述第一深沟槽在所述半导体基材的背面上的投影区域中。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，

所述第一隔离层为通过外延生长方式生长的第一外延层；所述第二隔离层包括绝缘材料。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，

所述第二隔离层从所述半导体基材的背面向所述半导体基材内部延伸至所述第一深沟槽中的第一隔离层内部。