[发明专利]刻蚀装置

说明书

本公开提供了一种刻蚀装置，属于电子制造技术领域。该刻蚀装置包括：反应腔、外延托盘、注液管路和旋转组件；所述外延托盘位于所述反应腔内，所述注液管路的出口端位于所述反应腔内，且所述出口端与所述外延托盘相对，所述注液管路用于注入刻蚀溶液；所述旋转组件位于所述反应腔内，且与所述外延托盘相连，用于驱动所述外延托盘转动。本公开能改善晶圆的边缘区域和中间区域刻蚀深度的不均的问题，提升晶圆的刻蚀质量。

技术领域

本公开涉及光电子制造技术领域，特别涉及一种刻蚀装置。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，由于其形状为圆形，晶圆通常包括多个集成布置的发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)，发光二极管是光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、能耗低等特点。晶圆制备过程中通常会采用刻蚀装置对其进行刻蚀，让刻蚀掉晶圆的表层材料，以在晶圆上形成所需的图形。

相关技术中，刻蚀装置通常包括反应腔、外延托盘和托盘压板，外延托盘设置在反应腔内，外延托盘上设置有多个间隔排布的凹槽，凹槽用于放置晶圆，托盘压板用于按压在晶圆的表面上，以防止晶圆在凹槽中活动。

在刻蚀晶圆过程中会向反应腔中通入等离子体，由于托盘压板在按压晶圆时，会遮挡晶圆的边缘区域，这样就导致晶圆的边缘区域没有被等离子充分刻蚀，使得晶圆的中间区域和边缘区域的刻蚀深度的均匀性存在差异，从而影响晶圆的刻蚀质量。

发明内容

本公开实施例提供了一种刻蚀装置，能改善晶圆的边缘区域和中间区域刻蚀深度的不均的问题，提升晶圆的刻蚀质量。所述技术方案如下：

本公开实施例提供了一种刻蚀装置，所述刻蚀装置包括：反应腔、外延托盘、注液管路和旋转组件；所述外延托盘位于所述反应腔内，所述注液管路的出口端位于所述反应腔内，且所述出口端与所述外延托盘相对，所述注液管路用于注入刻蚀溶液；所述旋转组件位于所述反应腔内，且与所述外延托盘相连，用于驱动所述外延托盘转动。

在本公开实施例的一种实现方式中，所述注液管路包括至少两个分流管道，所述至少两个分流管道的一端插设在所述反应腔上且延伸至所述反应腔内，所述至少两个分流管道沿所述外延托盘的径向间隔排布。

在本公开实施例的另一种实现方式中，所述旋转组件包括：锁止件、底盘和驱动件，所述外延托盘位于所述底盘上，所述锁止件可拆卸地连接所述外延托盘和所述底盘，所述驱动件与所述底盘相连，所述驱动件用于驱动所述底盘转动。

在本公开实施例的另一种实现方式中，所述锁止件包括压环，所述压环的内壁面具有环形槽，所述外延托盘和所述底盘位于所述压环的内孔中，且所述外延托盘的边缘区域和所述底盘的边缘区域均插设在所述环形槽内。

在本公开实施例的另一种实现方式中，所述外延托盘具有多个用于安装晶圆的凹槽；所述刻蚀装置还包括定位组件，所述定位组件位于所述凹槽内，用于压紧所述晶圆的侧壁。

在本公开实施例的另一种实现方式中，所述定位组件包括：垫板和弹性件，所述弹性件的一端与所述垫板相连，所述弹性件的另一端与所述凹槽的槽壁相抵，所述垫板远离所述弹性件的侧面与所述晶圆相抵。

在本公开实施例的另一种实现方式中，所述反应腔的内壁面设有防腐层。

在本公开实施例的另一种实现方式中，所述防腐层包括铱合金层。

在本公开实施例的另一种实现方式中，所述刻蚀装置还包括辅助管路，所述辅助管路插装在所述反应腔的侧壁上，且所述辅助管路的一端位于所述反应腔内，所述辅助管路用于注入冷却介质。

在本公开实施例的另一种实现方式中，所述刻蚀装置还包括排液管路，所述排液管路插装在所述反应腔的底部，且一端与所述反应腔连通。

本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：