[发明专利]刻蚀装置在审
| 申请号: | 202310454174.4 | 申请日: | 2023-04-24 |
| 公开(公告)号: | CN116544141A | 公开(公告)日: | 2023-08-04 |
| 发明(设计)人: | 王宁;汤淼;黄彪彪;李俊生;汪洋;冬旻弘 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(浙江)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L33/00;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 吕耀萍 |
| 地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 刻蚀 装置 | ||
1.一种刻蚀装置,其特征在于,所述刻蚀装置包括:反应腔(10)、外延托盘(20)、注液管路(30)和旋转组件;
所述外延托盘(20)位于所述反应腔(10)内,所述注液管路(30)的出口端位于所述反应腔(10)内,且所述出口端与所述外延托盘(20)相对,所述注液管路(30)用于注入刻蚀溶液;
所述旋转组件位于所述反应腔(10)内,且与所述外延托盘(20)相连,用于驱动所述外延托盘(20)转动。
2.根据权利要求1所述的刻蚀装置,其特征在于,所述注液管路(30)包括至少两个分流管道(31),所述至少两个分流管道(31)的一端插设在所述反应腔(10)上且延伸至所述反应腔(10)内,所述至少两个分流管道(31)沿所述外延托盘(20)的径向间隔排布。
3.根据权利要求1所述的刻蚀装置,其特征在于,所述旋转组件包括:锁止件(41)、底盘(42)和驱动件(43),所述外延托盘(20)位于所述底盘(42)上,所述锁止件(41)可拆卸地连接所述外延托盘(20)和所述底盘(42),所述驱动件(43)与所述底盘(42)相连,所述驱动件(43)用于驱动所述底盘(42)转动。
4.根据权利要求3所述的刻蚀装置,其特征在于,所述锁止件(41)包括压环,所述压环的内壁面具有环形槽(411),所述外延托盘(20)和所述底盘(42)位于所述压环的内孔中,且所述外延托盘(20)的边缘区域和所述底盘(42)的边缘区域均插设在所述环形槽(411)内。
5.根据权利要求1至4任一项所述的刻蚀装置,其特征在于,所述外延托盘(20)具有多个用于安装晶圆的凹槽(21);
所述刻蚀装置还包括定位组件,所述定位组件位于所述凹槽(21)内,用于压紧所述晶圆的侧壁。
6.根据权利要求5所述的刻蚀装置,其特征在于,所述定位组件包括:垫板(61)和弹性件(62),所述弹性件(62)的一端与所述垫板(61)相连,所述弹性件(62)的另一端与所述凹槽(21)的槽壁相抵,所述垫板(61)远离所述弹性件(62)的侧面与所述晶圆相抵。
7.根据权利要求1至4任一项所述的刻蚀装置,其特征在于,所述反应腔(10)的内壁面设有防腐层(11)。
8.根据权利要求7所述的刻蚀装置,其特征在于,所述防腐层(11)包括铱合金层。
9.根据权利要求1至4任一项所述的刻蚀装置,其特征在于,所述刻蚀装置还包括辅助管路(53),所述辅助管路(53)插装在所述反应腔(10)的侧壁上,且所述辅助管路(53)的一端位于所述反应腔(10)内,所述辅助管路(53)用于注入冷却介质。
10.根据权利要求1至4任一项所述的刻蚀装置,其特征在于,所述刻蚀装置还包括排液管路(54),所述排液管路(54)插装在所述反应腔(10)的底部,且一端与所述反应腔(10)连通。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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