[发明专利]芯片封装结构及其制备方法、电子设备

说明书

本公开涉及一种芯片封装结构及其制备方法、电子设备。所述方法包括：制备芯片封装初始结构，该结构包括芯片、重布线层及通过释放胶层与重布线层对应粘接的载板，其中与释放胶层接触粘接的重布线层包括：第一金属层、随形覆盖第一金属层靠近释放胶层表面的第一沉积层以及位于相邻第一沉积层之间的第一介电层；剥离释放胶层及载板；干法刻蚀将残留释放胶层和部分第一介电层去除并暴露出第一介电层顶面，使得第一介电层干法刻蚀后的顶面低于第一金属层的顶面；形成覆盖第一介电层干法刻蚀后顶面及第一沉积层裸露表面的初始修复层；于初始修复层背离每个第一金属层的表面形成第一外联导电件；去除相邻第一外联导电件之间的初始修复层，形成修复层。

技术领域

本公开涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种芯片封装结构及其制备方法、电子设备。

背景技术

芯片常应用于诸如个人电脑、手机或数码相机等的电子设备中。目前，随着电子设备对小型化及薄型化的设计需求越来越高，以及芯片设计与制备技术的不断进步，芯片的制备工艺也面临诸多挑战。例如，后一代芯片中的电路会比前一代芯片中的电路更小更复杂，需要进行晶圆级的加工和封装，增加了芯片制备工艺的复杂度，也容易影响芯片的可靠性。

发明内容

本公开实施例提供了一种芯片封装结构及其制备方法、电子设备，能够为芯片提供良好的电信号传输路径，从而有效提升芯片及电子设备的可靠性。

一方面，本公开一些实施例提供了一种芯片封装结构的制备方法。该制备方法包括的步骤如下所述。

制备芯片封装初始结构。所述芯片封装初始结构包括：芯片，设置于芯片一侧的一层或多层重布线层，包覆芯片并与重布线层对应连接的芯片包封体，以及通过释放胶层与重布线层对应粘接的载板；其中，与释放胶层接触粘接的重布线层包括：多个第一金属层、随形覆盖每个第一金属层靠近释放胶层表面的第一沉积层以及位于相邻第一沉积层之间的第一介电层。

剥离释放胶层及载板。

干法刻蚀将残留的释放胶层和部分第一介电层去除并暴露出第一介电层顶面，使得第一介电层干法刻蚀后的顶面低于第一金属层的顶面。

形成覆盖第一介电层干法刻蚀后顶面及第一沉积层裸露表面的初始修复层。

于初始修复层背离每个第一金属层的表面形成第一外联导电件。

去除相邻第一外联导电件之间的初始修复层，形成修复层。

在一些实施例中，所述干法刻蚀将残留的释放胶层和部分第一介电层去除并暴露出第一介电层顶面的步骤，包括：采用包含氧原子的等离子体刻蚀工艺进行刻蚀。

在一些实施例中，所述干法刻蚀将残留的释放胶层和部分第一介电层去除并暴露出第一介电层顶面的步骤，还包括：通过控制氧气流量、刻蚀时间及刻蚀功率，控制第一介电层的去除厚度。

在一些实施例中，第一介电层的材料包括：聚酰亚胺光刻胶、聚苯并恶唑光刻胶或苯并环丁烯光刻胶。

在一些实施例中，第一沉积层包括：沿远离第一金属层方向依次层叠的第一阻挡层和第一晶种层。所述形成覆盖第一介电层干法刻蚀后顶面及第一沉积层裸露表面的初始修复层的步骤，包括：形成覆盖第一介电层干法刻蚀后顶面及第一沉积层裸露表面的初始第二阻挡层；形成覆盖初始第二阻挡层的初始第二晶种层。

在一些实施例中，所述于初始修复层背离每个第一金属层的表面形成第一外联导电件的步骤之前，所述制备方法还包括如下步骤。

形成覆盖初始修复层的牺牲层。

图案化牺牲层，以于牺牲层中形成多个开口；所述开口暴露出对应第一金属层上的初始修复层。

相应地，所述于初始修复层背离每个第一金属层的表面形成第一外联导电件的步骤，包括：于每个开口内填充导电材料，形成第一外联导电件。