[发明专利]芯片封装结构及其制备方法、电子设备

权利要求书

1.一种芯片封装结构的制备方法，其特征在于，包括：

制备芯片封装初始结构；所述芯片封装初始结构包括：芯片，设置于所述芯片一侧的一层或多层重布线层，包覆所述芯片并与所述重布线层对应连接的芯片包封体，以及通过释放胶层与所述重布线层对应粘接的载板；其中，与所述释放胶层接触粘接的所述重布线层包括：多个第一金属层、随形覆盖每个所述第一金属层靠近所述释放胶层表面的第一沉积层以及位于相邻所述第一沉积层之间的第一介电层；

剥离所述释放胶层及所述载板；

干法刻蚀将残留的所述释放胶层和部分第一介电层去除并暴露出所述第一介电层顶面，使得所述第一介电层干法刻蚀后的顶面低于所述第一金属层的顶面；其中，所述第一介电层干法刻蚀后的顶面和所述第一金属层的顶面之间具有目标高度差；

形成覆盖所述第一介电层干法刻蚀后顶面及所述第一沉积层裸露表面的初始修复层；所述初始修复层的顶面非平整表面；

形成覆盖所述初始修复层的牺牲层；

图案化所述牺牲层，以于所述牺牲层中形成多个开口；所述开口暴露出对应所述第一金属层上的所述初始修复层，且所述开口暴露的所述初始修复层包括覆盖所述第一沉积层部分侧壁的部分；

于所述初始修复层背离每个所述第一金属层的表面形成第一外联导电件，包括：于每个所述开口内填充导电材料，形成所述第一外联导电件；

去除所述牺牲层，暴露出相邻所述第一外联导电件之间的所述初始修复层；

去除相邻所述第一外联导电件之间的所述初始修复层，形成修复层；

于所述第一外联导电件背离所述修复层的一侧形成第二外联导电件。

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述干法刻蚀将残留的所述释放胶层和部分第一介电层去除并暴露出所述第一介电层顶面的步骤，包括：采用包含氧原子的等离子体刻蚀工艺进行刻蚀。

3.根据权利要求2所述的芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述干法刻蚀将残留的所述释放胶层和部分第一介电层去除并暴露出所述第一介电层顶面，还包括：

通过控制氧气流量、刻蚀时间及刻蚀功率，控制所述第一介电层的去除厚度。

4.根据权利要求2所述的芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述第一介电层的材料包括：聚酰亚胺光刻胶、聚苯并恶唑光刻胶或苯并环丁烯光刻胶。

5.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述第一沉积层包括：沿远离所述第一金属层方向依次层叠的第一阻挡层和第一晶种层；所述形成覆盖所述第一介电层干法刻蚀后顶面及所述第一沉积层裸露表面的初始修复层的步骤，包括：

形成覆盖所述第一介电层干法刻蚀后顶面及所述第一沉积层裸露表面的初始第二阻挡层；

形成覆盖所述初始第二阻挡层的初始第二晶种层。

6.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述释放胶层及所述载板采用激光解键合或热解键合的方式进行剥离。

7.根据权利要求1~6中任一项所述的芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述第一介电层的材料包括：聚酰亚胺光刻胶、聚苯并恶唑光刻胶或苯并环丁烯光刻胶。

8.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：

芯片；

一层或多层重布线层，设置于所述芯片的顶面；其中，最顶层所述重布线层包括：多个第一金属层、随形覆盖每个所述第一金属层背离所述芯片表面的第一沉积层以及位于相邻所述第一沉积层之间的第一介电层；所述第一介电层的顶面低于所述第一金属层的顶面，且所述第一介电层的顶面和所述第一金属层的顶面之间具有目标高度差；

芯片包封体，包覆所述芯片并与所述重布线层对应连接；

修复层，覆盖所述第一沉积层暴露于所述第一介电层顶面上方的表面，至少包括所述第一沉积层的部分侧壁；所述修复层的顶面非平整表面；

第一外联导电件，覆盖所述修复层暴露于所述第一介电层顶面上方的表面；

第二外联导电件，位于所述第一外联导电件背离所述修复层的一侧，并与所述第一外联导电件相连接。