[发明专利]一种羽叶扁芒菊组培培养基及其组培方法在审
| 申请号: | 202310441847.2 | 申请日: | 2023-04-23 |
| 公开(公告)号: | CN116195515A | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
| 发明(设计)人: | 崔大祥;周园园;彭家伟;崔明青 | 申请(专利权)人: | 国纳之星(上海)纳米科技发展有限公司;上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
| 主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
| 代理公司: | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人: | 董梅 |
| 地址: | 201306 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 羽叶扁芒菊组培 培养基 及其 方法 | ||
1.一种羽叶扁芒菊的组培培养基,包括初代培养基、继代增殖培养基以及生根培养基,其特征在于,所述的初代培养基、继代增殖培养基以及生根培养基的pH为5.80~5.90,其中,
初代培养基:MS+0.2~ 2.0 mg/L 6-BA+0.05~ 0.2 mg/L NAA+30 g/L蔗糖+7 g/L琼脂;
继代增殖培养基:MS+0.2~2.0 mg/L 6-BA+0.1~0.2 mg/L NAA+30 g/L蔗糖+7 g/L琼脂;
生根培养基:1/2 MS+0.1~0.3 mg/LNAA+30 g/L蔗糖+7 g/L琼脂。
2.根据权利要求1所述的羽叶扁芒菊的组培培养基,其特征在于,所述初代培养基为MS+0.25 mg/L 6-BA+0.2mg/LNAA+30 g/L蔗糖+7 g/L琼脂。
3.根据权利要求1所述的羽叶扁芒菊的组培培养基,其特征在于,所述继代增殖培养基为MS+0.25 mg/L 6-BA+0.1mg/LNAA+30 g/L蔗糖+7 g/L琼脂。
4.根据权利要求1所述的羽叶扁芒菊的组培培养基,其特征在于,所述生根培养基为1/2 MS+ 0.3 mg/LNAA+30 g/L蔗糖+7 g/L琼脂。
5.一种羽叶扁芒菊的组培方法,采用权利要求1至4任一项所述培养基,其特征在于,包括选择和处理外植体后进行初代培养、继代培养和生根培养,其中:
(1)选择和处理外植体包括:选择生长健壮、无病害的羽叶扁芒菊茎段或腋芽为外植体,去除部分叶片,剪切至3~4cm,进行消毒灭菌后得到羽叶扁芒菊无菌外植体;
(2)将上述获得的外植体置于无菌纸上吸干表面水分并剪去两端伤口,接种于初代培养基中培养,获得的羽叶扁芒菊无菌苗;
(3)将初代培养中获得的羽叶扁芒菊无菌苗剪切成1.5~2 cm,转接到继代增殖培养基中进行继代增殖培养,获得大量羽叶扁芒菊丛生芽植株;
(4)将继代培养中大小一致,生长健壮的羽叶扁芒菊丛生芽植株接种至生根培养基中生根培养,最终获得生根苗;
上述步骤(2)~(4)中提供的初代培养、继代增殖培养以及生根培养的培养温度为25±1℃,光照时间14 h/d,光强为1500~2000lx,湿度为60%的组培室中培养,培养周期为30 天。
6.根据权利要求5所述的羽叶扁芒菊的组培方法,其特征在于,
步骤(1)中,所述外植体消毒灭菌的方法为:将羽叶扁芒菊的茎段和腋芽清洗干净后放入盛有洗洁精溶液的玻璃瓶中浸泡1 min,瓶口用纱布包住,置于流水下冲洗30~40 min。然后将洗干净后的外植体移至超净工作台中,用75%的酒精浸泡30 S,无菌水冲洗3~4次,再用4%的次氯酸钠溶液震荡消毒10分钟,无菌水冲洗3次。
7.根据权利要求5所述的羽叶扁芒菊的组培方法,其特征在于,
步骤(2)中,所述初代培养方法为:在超净工作台内对外植体消毒灭菌后,放入无菌盘中用无菌纸吸干表面水分,剪去两端伤口后接种于MS+0.25 mg/L 6-BA+0.2 mg/L NAA+30g/L蔗糖+7 g/L琼脂初代培养基中进行丛生芽诱导。
8.根据权利要求5所述的羽叶扁芒菊的组培方法,其特征在于,
步骤(3)中,所述继代增殖培养方法为:将初代培养中获得的羽叶扁芒菊无菌苗茎段剪切成1.5~2 cm,转接到MS+0.25 mg/L 6-BA+0.1mg/L NAA+30 g/L蔗糖+7 g/L继代培养基中进行继代增殖培养,得到羽叶扁芒菊丛生芽植株。
9.根据权利要求5所述的羽叶扁芒菊的组培方法,其特征在于,
步骤(4)中,所述生根培养方法为:选择大小一致,生长健壮的羽叶扁芒菊丛生芽植株,接种到1/2 MS+ 0.3 mg/L NAA+30 g/L蔗糖+7 g/L的培养基中生根培养,最终获得生根苗。
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