[发明专利]抛光台、抛光设备和抛光方法

说明书

本公开涉及抛光台、抛光设备和抛光方法，所述抛光台包括用于供给多种抛光液的多个供液通道和被所述多个供液通道分割而形成的多个抛光区，其中，所述抛光区与所述供液通道沿所述抛光台的径向方向交替地布置，以在抛光时借助于所述抛光台旋转产生的离心力使所述多种抛光液分布在所述多个抛光区上，从而在不同的抛光区提供不同的抛光去除量。

技术领域

本公开涉及半导体加工制造技术领域，具体地，涉及抛光台、抛光设备和抛光方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，对硅片表面的平坦度的要求越来越高。在硅片制造过程中，可以通过抛光工艺来对硅片的平坦度进行改善。抛光过程通常包括对硅片的正反两面进行抛光的双面抛光步骤和仅对硅片的正面进行抛光的最终抛光步骤。

目前获得平坦表面的硅片所采用的最普遍的工艺就是利用化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing，CMP）工艺，硅片的化学机械抛光工艺是一个复杂的多项反应过程，具体可以划分为两个动力学过程：首先使吸附在抛光垫上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与硅片表面的硅原子进行氧化还原的动力学过程，其次是硅片的抛光面上的反应物脱离硅片表面的解析过程，也就是使未反应的硅原子重新裸露出来的动力学过程。化学机械抛光工艺是机械摩擦和化学腐蚀相结合的工艺，兼顾了两者的优点，能够获得平坦的硅片表面。

但是，在硅片的抛光过程中，影响硅片平坦度的因素诸多，比如抛光液的配比、PH值、温度、供给流量、抛光液中磨料的浓度与粒径、抛光压力、抛光盘与抛光头转速、抛光垫的材质等等，因此采用不同的抛光工艺对硅片的平坦度有着很大的影响。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例期望提供抛光台、抛光设备和抛光方法，能够针对硅片的不同区域提供不同的抛光去除量，从而提升硅片平坦化的品质。

本发明的技术方案是这样实现的：

第一方面，本发明实施例提供了一种抛光台，所述抛光台包括用于供给多种抛光液的多个供液通道和被所述多个供液通道分割而形成的多个抛光区，

其中，所述抛光区与所述供液通道沿所述抛光台的径向方向交替地布置，以在抛光时借助于所述抛光台旋转产生的离心力使所述多种抛光液分布在所述多个抛光区上，从而在不同的抛光区提供不同的抛光去除量。

优选地，所述多个供液通道呈与所述抛光台同心并且彼此独立的多个环形形状，并且所述多个供液通道提供的所述多种抛光液，沿所述径向方向向外在所述多个抛光区上提供的抛光去除量逐渐减小。

优选地，每个供液通道经由至少部分地设置在所述抛光台内部的对应的供给管路提供对应的抛光液。

优选地，所述多种抛光液具有不同的浓度和/或温度。

优选地，沿每个供液通道分布有多个出液口。

优选地，所述供液通道由多孔陶瓷材料制成。

优选地，所述抛光台还包括振动器，所述振动器设置成使所述抛光台产生振动，以有助于调整所述抛光液的分布。

优选地，所述抛光台还包括用于驱动所述抛光台旋转的驱动轴，以及用于调节所述驱动轴的旋转速度的变速器，以控制所述抛光台的旋转速度。

第二方面，本发明实施例提供了一种抛光设备，所述抛光设备包括：

根据第一方面的抛光台；

抛光头，所述抛光头用于保持待抛光的硅片；以及

与所述抛光台上的多个抛光区相对应的多个抛光垫，每个抛光垫固定地设置在对应的抛光区上，

其中，所述抛光垫设置在所述抛光区的上表面上以用于通过由所述抛光台的供液通道提供至所述抛光垫的抛光液对通过所述抛光头而与所述抛光垫接触的所述硅片进行抛光。

第三方面，本发明实施例提供了一种抛光方法，所述抛光方法通过使用根据第二方面的抛光设备执行。