[发明专利]一种N阶四分之一波长高带外抑制滤波器结构及滤波器

权利要求书

1.一种N阶四分之一波长高带外抑制滤波器结构，其特征在于，包括N个谐振器（1），所述谐振器（1）包括顶层金属层、中间介质层、底层金属层，所述顶层金属层和底层金属层相互平行，所述中间介质层、顶层金属层和底层金属层对应开设有过孔（2），所述过孔（2）垂直开设，过孔（2）为圆形通孔，过孔（2）的内环面设置有金属镀层，所述金属镀层与底层金属层相接，形成短路端；

N个所述谐振器（1）之间设置有耦合线（3），所述耦合线（3）的数量为N-1，相邻两个所述谐振器（1）通过耦合线（3）连接，所述耦合线（3）为矩形结构，耦合线（3）用于引入主模的电耦合路径，并抑制寄生通带的电耦合路径；

N个谐振器（1）通过N-1个耦合线（3）阵列连接形成N阶滤波器，阵列的第一个所述谐振器（1）的输入端作为N阶滤波器的输入端口（4），阵列的第N个所述谐振器（1）的输出端作为N阶滤波器的输出端口（5），所述N≥2，且N为正整数。

2.根据权利要求1所述的一种N阶四分之一波长高带外抑制滤波器结构，其特征在于，所述N阶滤波器的输入端口（4）和输出端口（5）由微带传输线构成，且设置于所述顶层金属层上。

3.一种四分之一波长均匀阻抗高带外抑制电耦合滤波器，其特征在于，包括权利要求1所述的N阶四分之一波长高带外抑制电耦合滤波器结构，所述谐振器（1）为n字型结构，所述过孔（2）靠近曲线侧开设。

4.根据权利要求3所述的一种四分之一波长均匀阻抗高带外抑制电耦合滤波器，其特征在于，所述耦合线（3）设置于远离短路端的一侧，耦合线（3）与短路端之间的距离约为2/3倍的谐振器（1）长度。

5.一种四分之一波长SIR高带外抑制电耦合滤波器，其特征在于，包括权利要求1所述的N阶四分之一波长高带外抑制电耦合滤波器结构，所述谐振器（1）设置有高阻抗线和低阻抗线，所述高阻抗线和低阻抗线之间设置有阻抗比。

6.根据权利要求5所述的一种四分之一波长SIR高带外抑制电耦合滤波器，其特征在于，所述谐振器（1）为倒置的凸字形结构，所述过孔（2）靠近所述谐振器（1）的高阻抗线位置开设。

7.根据权利要求6所述的一种四分之一波长SIR高带外抑制电耦合滤波器，其特征在于，所述耦合线（3）设置于低阻抗线位置，耦合线（3）与短路端之间的距离约为1/2倍的谐振器（1）外凸端边长。