[发明专利]硅片托盘和半导体工艺设备

说明书

本发明提供了一种硅片托盘和半导体工艺设备，属于半导体制造技术领域。硅片托盘，用于承载低温氧化物LTO工序中的硅片，所述硅片托盘包括用于承载所述硅片的第一表面和与所述第一表面相背的第二表面，所述第二表面设置有朝向所述第一表面凹陷的第一凹槽。本发明的技术方案能够提高二氧化硅薄膜的均匀性。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种硅片托盘和半导体工艺设备。

背景技术

在将重掺硅片用做外延片的衬底时，需增加LTO(低温氧化物)工序，即在硅片背面生长SiO₂，其目的是为了防止外延生长过程发生自掺杂现象，抑制自掺杂现象的发生可以保证外延过程中有效地控制电阻等关键参数。

在进行LTO工序时，采用硅片托盘承载硅片，如果硅片托盘朝向硅片的一侧表面为水平的，则在进行SiO₂薄膜生长时，由于硅片托盘与硅片接触，会使硅片表面出现不可逆的接触损伤。为了避免硅片表面出现不可逆的接触损伤，在硅片托盘朝向硅片的一侧表面设置凹槽，但这样会导致SiO₂薄膜的均匀性较差。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供一种硅片托盘和半导体工艺设备，能够提高二氧化硅薄膜的均匀性。

为了达到上述目的，本发明实施例采用的技术方案是：

一种硅片托盘，用于承载低温氧化物LTO工序中的硅片，

所述硅片托盘包括用于承载所述硅片的第一表面和与所述第一表面相背的第二表面，所述第二表面设置有朝向所述第一表面凹陷的第一凹槽。

一些实施例中，所述第一凹槽的底面为弧面。

一些实施例中，所述弧面的曲率半径R满足0R150mm/Sinα，α为所述弧面的角度的二分之一，R的取值与所述α的取值成反比。

一些实施例中，所述弧面的角度为0-90°。

一些实施例中，所述弧面对应的球心位于所述硅片托盘的中心轴上。

一些实施例中，所述第一表面设置有朝向所述第二表面凹陷的第二凹槽。

一些实施例中，所述第二凹槽的底面为斜面。

一些实施例中，所述第二凹槽的底面包括多个依次连接、不同斜率的斜面，沿靠近所述第二凹槽的中心的方向，所述斜面的斜率逐渐减小。

本发明实施例还提供了一种半导体工艺设备，包括：

如上所述的硅片托盘；

用于对所述硅片托盘承载的硅片进行预热的预加热区；

用于对所述硅片托盘承载的硅片进行加热的加热区；

用于分别控制所述预加热区的温度和所述加热区的温度的控制器。

一些实施例中，所述控制器具体用于在所述硅片托盘承载硅片从所述预加热区移动至所述加热区的过程中，控制所述预加热区与所述加热区的温度相同。

本发明的有益效果是：

本实施例中，硅片托盘的第二表面设置有朝向第一表面凹陷的第一凹槽，这样在硅片托盘承载硅片在半导体工艺设备的预加热区和加热区移动时，硅片中心的导热方式为空气→硅片托盘→硅片中心，硅片边缘的导热方式为：硅片托盘→硅片边缘，能够改变硅片中心与边缘的导热方式，进一步改变硅片不同区域的受热情况，使得硅片上能够生长厚度均匀的二氧化硅薄膜。

附图说明

图1表示现有技术中硅片托盘的结构示意图；

图2表示本发明实施例硅片托盘的结构示意图；