[发明专利]硅片托盘和半导体工艺设备在审
| 申请号： | 202310382311.8 | 申请日： | 2023-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN116313952A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 郝宁;王力 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 张博 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 托盘 半导体 工艺设备 | ||
1.一种硅片托盘，其特征在于，用于承载低温氧化物LTO工序中的硅片，
所述硅片托盘包括用于承载所述硅片的第一表面和与所述第一表面相背的第二表面，所述第二表面设置有朝向所述第一表面凹陷的第一凹槽。
2.根据权利要求1所述的硅片托盘，其特征在于，所述第一凹槽的底面为弧面。
3.根据权利要求2所述的硅片托盘，其特征在于，所述弧面的曲率半径R满足0R150mm/Sinα，α为所述弧面的角度的二分之一，R的取值与所述α的取值成反比。
4.根据权利要求2所述的硅片托盘，其特征在于，所述弧面的角度为0-90°。
5.根据权利要求2所述的硅片托盘，其特征在于，所述弧面对应的球心位于所述硅片托盘的中心轴上。
6.根据权利要求2所述的硅片托盘，其特征在于，所述第一表面设置有朝向所述第二表面凹陷的第二凹槽。
7.根据权利要求6所述的硅片托盘，其特征在于，所述第二凹槽的底面为斜面。
8.根据权利要求6所述的硅片托盘，其特征在于，所述第二凹槽的底面包括多个依次连接、不同斜率的斜面，沿靠近所述第二凹槽的中心的方向，所述斜面的斜率逐渐减小。
9.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：
如权利要求1-8中任一项所述的硅片托盘；
用于对所述硅片托盘承载的硅片进行预热的预加热区；
用于对所述硅片托盘承载的硅片进行加热的加热区；
用于分别控制所述预加热区的温度和所述加热区的温度的控制器。
10.根据权利要求9所述的半导体工艺设备，其特征在于，
所述控制器具体用于在所述硅片托盘承载硅片从所述预加热区移动至所述加热区的过程中，控制所述预加热区与所述加热区的温度相同。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
