[发明专利]LED芯片封装体制作方法及LED芯片封装体

说明书

本发明公开一种LED芯片封装体制作方法及LED芯片封装体，该方法包括：提供一原始基板，并在原始基板上划分若干单元基板，单元基板正面具有第一焊盘，背面具有第二焊盘；在每一单元基板的第一焊盘上分别固定连接LED芯片；对原始基板的正面进行封装，以形成封装层；对原始基板进行裁切，以将原始基板分隔为若干基板条，且在基板条上形成位于侧面的两相对的裁切面；在每一基板条的至少一裁切面上敷设侧面线路，通过侧面线路使每一单元基板上的第一焊盘与对应的第二焊盘电性连接。通过上述方法，无需在原始基板上打孔即可满足LED芯片基板正、背两面线路层的导通，从而不但有效提升LED芯片封装工艺的加工效率，而且大幅降低成本，更能有效提升良品率。

技术领域

本发明涉及LED显示技术领域，尤其涉及一种LED芯片封装体制作方法及LED芯片封装体。

背景技术

Micro LED凭借低能耗、高亮度、高对比度及高可靠性的特性，满足了各种像素密度和各种尺寸显示的需求，如AR/VR、智能手表、大屏电视等。Micro LED凭借多项优势特点，正逐步展现其巨大应用潜力，成为最佳新型高清显示方案。

其中，MIP(Micro LED in Package)是一种基于Micro LED的新型封装架构，MIP封装技术的工艺流程为：将Micro LED芯片通过巨量转移技术转移到载板上，进行封装，然后切割成单颗或多合一的芯片封装体，再将芯片封装体分光混光，接着再进行贴片工艺、屏体表面封装或覆膜，最终完成显示屏的制作。目前，采用的载板主要是BT基板，其次可以采用玻璃基板。不管是采用BT基板还是玻璃基板，均需要在载板上制作导电通孔H，如图19，以连接基板两表面的焊盘，满足电路导通的需求。

然而，由于Micro LED芯片封装体的尺寸较小，因此载板上的导电通孔一般采用激光打孔的方式制作。激光打孔需要逐一执行，不但打孔效率低，严重拉低Micro LED芯片封装体的制作效率，而且激光加工的成本高。此外，制作导电通孔会降低载板的强度，甚至有可能导致载板崩裂。

发明内容

本发明的目的是提供一种无需对载板进行打孔即可实现正反两面电路导通的LED芯片封装体制作方法及LED芯片封装体。

为了实现上述目的，本发明公开了一种LED芯片封装体制作方法，其包括：

提供一原始基板，并在所述原始基板上划分若干单元基板，所述单元基板上具有单元电路，所述单元电路包括位于所述单元基板正面的第一焊盘以及位于所述单元基板背面的第二焊盘；

在每一所述单元基板的所述第一焊盘上分别固定连接LED芯片；

对所述原始基板的正面进行封装，以形成封装层；

对所述原始基板进行裁切，以将所述原始基板分隔为若干基板条，每一所述基板条上包括若干所述单元基板，且在所述基板条上形成位于侧面的两相对的裁切面；

在每一所述基板条的至少一裁切面上敷设侧面线路，通过所述侧面线路使每一所述单元基板上的所述第一焊盘与对应的所述第二焊盘电性连接；

对所述基板条进行裁切，以获得若干单元封装体。

较佳地，还包括对所述原始基板进行线路加工的方法：

在所述原始基板的正面和背面分别覆设金属层；

通过蚀刻方法，在所述原始基板的正面的所述金属层上形成第一线路层，所述第一线路层包括若干所述第一焊盘，在所述原始基板的背面的所述金属层上形成第二线路层，所述第二线路层包括若干所述第二焊盘；

且，在所述第一线路层上激光镭射出若干纵横分布的第一分割线，并在所述第二线路层上激光镭射出若干纵横分布的第二分割线，所述第二分割线与所述第一分割线正相对，通过所述第一分割线和所述第二分割线将所述原始基板划分为若干所述单元基板，并将所述第一线路层和所述第二线路层划分为若干所述单元电路。