[发明专利]一种减少杂质含量的石墨片制备工艺

说明书

本发明公开了一种减少杂质含量的石墨片制备工艺，包括如下步骤；步骤一：制备基底层，步骤二：去除石墨粉中的杂质，将炭原料经过煅烧、破碎与筛分制得石墨粉，然后将石墨粉和水倒入反应釜内，使得石墨粉形成浆状结构，在复选池中对石墨粉进行搅拌，步骤三：制备石墨片，步骤四：对导热硅胶进行处理，将导热硅胶与经过步骤二处理的石墨粉混合，然后在步骤三中制得的石墨片上涂覆混合后的导热硅胶，步骤五：处理保护膜，然后覆盖保护膜，步骤六：将基底层、石墨片、导热硅胶和保护膜叠合。该减少杂质含量的石墨片制备工艺，降低石墨中的金属杂质含量和沙石含量，提高石墨片的强度和韧性，提高石墨片的散热性。

技术领域

本发明涉及石墨片制备技术领域，具体为一种减少杂质含量的石墨片制备工艺。

背景技术

石墨片是电子产品内部的通用部件，通过石墨片能够快速散去电子产品内部电气件产生的热，为了提高电子产品的性能，增加石墨片的散热性能，石墨上提出多种石墨片的制作工艺；

授权公告号为CN113085294A的中国发明专利公开了一种厚度可控的石墨片及其制备工艺，包括基底层，所述基底层位于整个石墨片结构的最底层；硅胶层，所述硅胶层平铺设置在基底层的上表面；石墨片层，所述石墨片层设置在基底层和硅胶层之间；PRT保护膜，所述PRT保护膜覆盖在石墨片层的上表面。该厚度可控的石墨片及其制备工艺，通过2个或者2个以上的石墨片单体组成石墨片层，因此能够在需要时，通过定量叠合的方式，增加或者减少石墨片单体的个数，从而控制石墨片及层的整体厚度；通过在热压成型的方式，简化石墨片的制作过程，且基底层、硅胶层、石墨片层和PRT保护膜也通过的叠合热压的方式进行制作，使得基底层、硅胶层、石墨片层和PRT保护膜之间的连接性更强；

授权公告号为CN109292764B的中国发明专利公开了一种低杂质含量石墨烯制备方法，所述方法包括：对含有官能团并含有杂质的氧化石墨烯进行纯化；对纯化后的氧化石墨烯进行还原，其中，所述纯化包括：将含有官能团并含有杂质的氧化石墨烯、络合剂与酸性溶液混合，形成混合液；对所述混合液进行超声震荡，过滤，得到纯化后的氧化石墨烯；所述对纯化后的氧化石墨烯进行还原的步骤包括：将纯化后的氧化石墨烯顺序经历温度和压强不同反应区，得到石墨烯。本发明的纯化能够有效地使氧化石墨烯和杂质离子分离，可以提高氧化石墨烯纯化的彻底性；利用在不同的温度、压强区域下制备石墨烯，能够去除石墨烯中的金属、非金属杂质，修复氧化石墨烯在制备过程中所导致的SP3杂化缺陷；

现有的石墨片杂质含量较高，强度和韧性有待提高，且包边处的散热性较低，需要提出一种能够降低石墨中的金属杂质含量和沙石含量，提高石墨片的强度和韧性，提高石墨片的散热性的石墨片制备工艺，因此，我们提出一种减少杂质含量的石墨片制备工艺，以便于解决上述中提出的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种减少杂质含量的石墨片制备工艺，降低石墨中的金属杂质含量和沙石含量，提高石墨片的强度和韧性，提高石墨片的散热性。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种减少杂质含量的石墨片制备工艺，包括如下步骤；

步骤一：制备基底层，通过裁切设备裁切基底层；

步骤二：去除石墨粉中的杂质，将炭原料经过煅烧、破碎与筛分制得石墨粉，然后将石墨粉和水倒入反应釜内，使得石墨粉形成浆状结构，然后向反应釜内加入酸，对反应釜进行加热，从而将石墨粉中的金属杂质融入到酸液中，将反应釜中反应完的石墨粉通入到复选池中，在复选池中对石墨粉进行搅拌，使得石墨粉中的沙石沉入到复选池中的底部，减少上层石墨粉中的沙石含量；

步骤三：制备石墨片，将复选池中上层的石墨粉通入混合设备内，然后向石墨粉内加入碳酸锂颗粒和聚偏氟乙烯，可以增强泡沫石墨片的强度和韧性，接着将混合后的石墨粉通入压干机中进行压干，将压干机中的石墨粉放入到烘干机中，对石墨粉进行近一步的烘干，将烘干后的片状结构送入低温升温炉进行碳化处理，然后再将碳化处理后的有机聚合物薄片送入高温升温炉中，进行石墨化处理；

步骤四：对导热硅胶进行处理，将导热硅胶与经过步骤二处理的石墨粉混合，然后在步骤三中制得的石墨片上涂覆混合后的导热硅胶；