[发明专利]一种填胶装置在审

专利信息
申请号: 202310326784.6 申请日: 2023-03-30
公开(公告)号: CN116371676A 公开(公告)日: 2023-07-04
发明(设计)人: 刘兵海;张兮;华佑南;李晓旻 申请(专利权)人: 胜科纳米(苏州)股份有限公司
主分类号: B05C5/02 分类号: B05C5/02;B05C11/10;B05C13/02;H01L21/67
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 李彩玲
地址: 215124 江苏省苏州市苏州工业园*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 装置
【说明书】:

发明公开了一种填胶装置,包括密封主体、密封盖、导管、真空泵、样品台组件和胶体容器,密封盖与密封主体密封连接,导管连通密封主体内的中空腔体和真空泵,胶体容器位于中空腔体内,用于容纳胶体,样品台组件包括样品载台和摇杆,样品载台位于中空腔体内部,且样品载台位于胶体容器上方,样品载台用于承载待填胶样品,摇杆与密封主体的侧壁可转动连接,摇杆的一端与样品载台固定连接,摇杆的另一端延伸至密封主体的外部。本发明实施例提供的填胶装置,实现在真空环境中对待填胶样品的填胶操作,有效的排除了胶体内的空气和气泡,同时,样品台组件的设计可以一次性实现大批量待填胶样品的快速填胶,从而还提高了填胶效率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种填胶装置。

背景技术

随着半导体芯片生产、封装技术越来越先进,半导体器件表征和失效分析领域所面临的挑战越来越大。

对于先进制程的半导体器件中纳米结构的表征和失效分析,聚焦离子束(FocusedIon Beam,FIB)和电子显微镜因其高空间分辨率扮演着越来越重要的角色。但是鉴于半导体器件架构越来越复杂,半导体器件结构的尺寸越来越小,存在各种各样的技术瓶颈,其中,中空(空心)纳米器件的电镜表征和失效分析的样品制备存在很大的挑战。例如,先进制程中刻蚀工艺后形成的高深宽比的纳米尺寸通孔、接触孔、沟槽等工艺结构,这些纳米尺寸的纳米结构的精确表征和分析是半导体制造和封装工艺如刻蚀、清洗、超薄镀膜工艺等工艺研发、工艺调整、制造设备研发、认证不可或缺的环节。但是由于这些器件结构是中空的,在聚焦离子束(Focused Ion Beam,FIB)进行制样时会产生严重的水帘效应、结构损坏和变形、沿侧壁反沉积等问题,这类由FIB导致的结构损伤和反沉积造成的异物层,会导致器件精确表征和分析难以实现。

因此,在FIB进行制样之前,需要将这些中空结构用胶体填充严实,常规填胶通常在常压中进行,或者先在常压下填胶,然后通过抽真空以期达到有效填充的目的。这种填胶技术可以适用于大开口(微米级)和小的深宽比的中空结构,但是对于纳米尺寸的开口、高深宽比、复杂(如MEMS的多中空腔体,多转角)的中空结构来说,存在填充不密实、出现空洞和气泡的问题。

例如,图1-图3为相关技术中中空结构在填胶后的结构示意图,如图1-图3所示,填充在中空结构10’中的胶体26’存在空洞11’。

而即使是纳米尺寸的空洞都会带来FIB制样时的水帘效应、样品离子切割中出现空洞扩大、周边结构损伤、变形和反沉积等诸多问题,从而导致待测结构表征和失效分析的失败。

发明内容

本发明提供了一种填胶装置,以解决胶体填充不密实、出现空洞和气泡的问题。

本发明提供了一种填胶装置,包括密封主体、密封盖、导管、真空泵、样品台组件和胶体容器;

所述密封主体具有中空腔体,所述密封盖与所述密封主体密封连接,以密封所述中空腔体;

所述导管的一端与所述中空腔体连通,所述导管的另一端与所述真空泵连接,所述真空泵用于在所述中空腔体内形成负压;

所述胶体容器位于所述中空腔体内,用于容纳胶体;

所述样品台组件包括样品载台和摇杆,所述样品载台位于所述中空腔体内部,且所述样品载台位于所述胶体容器上方,所述样品载台用于承载待填胶样品;

所述摇杆与所述密封主体的侧壁可转动连接,所述摇杆的一端与所述样品载台固定连接,所述摇杆的另一端延伸至所述密封主体的外部。

可选的,所述样品台组件包括第一样品台组件和第二样品台组件;

所述第一样品台组件的所述样品载台与所述第二样品台组件的所述样品载台沿第一方向排列;所述第一方向平行于水平方向,且所述第一方向垂直于所述摇杆的延伸方向。

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