[发明专利]一种侧墙结构及闪存器件的制备方法

说明书

本发明提供了一种侧墙结构及闪存器件的制备方法，应用于半导体制造领域中。由于本发明所提供的闪存器件的制造方法中，其形成ONO侧墙结构时，是利用HTO工艺形成致密性及绝缘性较好的所述第一氧化物层，并进一步地对所述第一氧化物层进行RTO退火工艺，以通过所述RTO退火工艺提供的能量修复所述第一氧化物层的缺陷，从而利用HTO工艺形成致密性及绝缘性较好的第一氧化物层之后，再次提高所述第一氧化物层的致密性及绝缘性，进而在保证形成的侧墙结构的膜厚和热度均不变的情况下，最终避免了存储结构内的电子通过位于其侧壁上的ONO侧墙结构中的第一氧化物层遂层穿至外部所造成的器件漏电的问题，即保证了闪存器件的性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种侧墙结构及闪存器件的制备方法。

背景技术

NORD闪存器件以成本低、功耗低、存取速度快等优势在半导体领域占据越来越重要的地位。随着科技的发展，以闪存为主要存储介质的大肉尽量固态存储设备已经成为当今数据存储的主流方案之一。

现有的NORD闪存器件包括栅极结构及覆盖所述栅极结构外侧的侧墙，所述侧墙一般为氧化层-氮化层-氧化层构成的ONO叠层，其中，两层所述氧化层一般会采用正硅酸乙酯工艺进行制备，但采用正硅酸乙酯工艺制备的所述氧化层的晶体结构较差、内部缺陷较多，进而导致所述侧墙的绝缘性及致密性较差，当所述闪存器件工作时，所述栅极结构内的电子容易通过所述侧墙遂穿至外部，造成漏电，影响闪存器件的性能及使用寿命。

发明内容

本发明的目的在于提供一种侧墙结构及闪存器件的制备方法，以解决现有的ONO侧墙结构中的氧化物层致密性较差导致的闪存器件发生漏电的问题。

第一方面，为了达到上述目的，本发明首先提供了一种侧墙结构的制备方法，至少可以包括如下步骤：

提供一半导体衬底；

在所述半导体衬底的表面上形成所述侧墙结构的第一氧化物层；

对形成有所述第一氧化物层的半导体衬底进行退火工艺；

在所述第一氧化物层的表面上形成所述侧墙结构的第一氮化物层，并利用LPTEOS工艺在该第一氮化物层的表面上形成所述侧墙结构的第二氧化物层。

进一步的，形成所述第一氧化物层的工艺可以包括HTO工艺。

进一步的，对所述第一氧化物层所进行的退火工艺包括快速加热退火工艺RTO。

第二方面，基于与上述所述的侧墙结构的制备方向相同的发明构思，本发明还提供了一种闪存器件的制备方法，具体可以包括如下步骤：

提供一具有存储结构的半导体衬底；

在所述存储结构的两侧的半导体衬底上形成第一氧化物层，以使所述第一氧化物层覆盖在所述存储结构的侧壁上；

对所述第一氧化物层进行退火工艺；

形成覆盖在所述第一氧化物层的表面上的第一氮化物层和第二氧化物层，以使依次堆叠的第一氧化物层、第一氮化物层和第二氧化物层构成所述存储结构的侧墙结构。

进一步的，所述存储结构具体可以为单存储位结构，或者可以为共享字线的双存储位结构，再或者还可以为共享源线的双存储位结构。

进一步的，形成所述第一氧化物层的工艺具体可以为HTO工艺，而所述第一氧化物层的材料具体可以包括二氧化硅。

进一步的，在形成所述第一氧化物层之前，本发明所提供的所述闪存器件的制备方法还可以包括：对待进行HTO工艺的所述半导体衬底进行沉积之前的预清洗处理的步骤。

进一步的，所述退火工艺具体可以为快速加热退火工艺RTO，所述快速加热退火工艺RTO的温度具体可以为≥900℃。