[发明专利]一种侧墙结构及闪存器件的制备方法在审
| 申请号： | 202310321929.3 | 申请日： | 2023-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN116206965A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 曹子贵 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H10B41/30 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 张亚静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结构 闪存 器件 制备 方法 | ||
1.一种侧墙结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一半导体衬底；
在所述半导体衬底的表面上形成所述侧墙结构的第一氧化物层；
对形成有所述第一氧化物层的半导体衬底进行退火工艺；
在所述第一氧化物层的表面上形成所述侧墙结构的第一氮化物层，并利用LPTEOS工艺在该第一氮化物层的表面上形成所述侧墙结构的第二氧化物层。
2.如权利要求1所述的侧墙结构的制备方法，其特征在于，形成所述第一氧化物层的工艺包括HTO工艺。
3.如权利要求1所述的侧墙结构的制备方法，其特征在于，对所述第一氧化物层所进行的退火工艺包括快速加热退火工艺RTO。
4.一种闪存器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一具有存储结构的半导体衬底；
在所述存储结构的两侧的半导体衬底上形成第一氧化物层，以使所述第一氧化物层覆盖在所述存储结构的侧壁上；
对所述第一氧化物层进行退火工艺；
形成覆盖在所述第一氧化物层的表面上的第一氮化物层和第二氧化物层，以使依次堆叠的第一氧化物层、第一氮化物层和第二氧化物层构成所述存储结构的侧墙结构。
5.如权利要求4所述的闪存器件的制备方法，其特征在于，所述存储结构为单存储位结构或者为共享字线的双存储位结构或者为共享源线的双存储位结构。
6.如权利要求4所述的闪存器件的制备方法，其特征在于，形成所述第一氧化物层的工艺为HTO工艺，所述第一氧化物层的材料包括二氧化硅。
7.如权利要求4所述的闪存器件的制备方法，其特征在于，在形成所述第一氧化物层之前，所述制备方法还包括：对待进行HTO工艺的所述半导体衬底进行沉积之前的预清洗处理。
8.如权利要求7所述的闪存器件的制备方法，其特征在于，所述退火工艺为快速加热退火工艺RTO，所述快速加热退火工艺RTO的温度为≥900℃。
9.如权利要求4所述的闪存器件的制备方法，其特征在于，形成所述第二氧化物层的工艺包括LPTEOS工艺。
10.如权利要求9所述的闪存器件的制备方法，其特征在于，所述第二氧化物层的材料包括正硅酸乙酯。
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