[发明专利]太阳能电池、光伏组件及太阳能电池的制备方法

说明书

本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池、光伏组件及太阳能电池的制备方法，太阳能电池包括：基底，基底具有相对的正面以及背面，背面包括绒面区以及与绒面区相邻接的平坦区，绒面区的基底内具有掺杂表面场，且掺杂表面场内具有掺杂元素，掺杂元素为N型或者P型；隧穿介质层，隧穿介质层位于基底背面的平坦区；掺杂导电层，掺杂导电层位于隧穿介质层远离基底背面的表面，掺杂导电层具有掺杂元素，掺杂导电层内的掺杂元素类型与掺杂表面场内的掺杂元素类型相同；背电极，背电极的部分底面位于掺杂导电层内且背电极的部分底面与掺杂表面场相接触，至少可以降低太阳能电池的接触电阻。

技术领域

本申请实施例涉及光伏领域，特别涉及一种太阳能电池、光伏组件及太阳能电池的制备方法。

背景技术

影响太阳能电池性能(例如光电转换效率)的原因包括光学损失以及电学损失，光学损失包括电池前表面反射损失、接触栅线的阴影损失以及长波段的非吸收损失等，电学损失包括半导体表面及体内的光生载流子复合、半导体和金属栅线的接触电阻以及金属和半导体的接触电阻等的损失。

为了减少太阳能电池的电学损失以及光学损失，一般需要对太阳能电池的背面进行抛光工艺。背面抛光工艺主要是利用湿化学法对背面硼掺杂金字塔绒面结构进行抛光处理，增加光的内反射，降低载流子表面复合速率，提升电池光电转换效率。在背面抛光工艺中，晶硅电池背面抛光面形貌有利于长波段光的背反射和后续形成在背面膜层的均匀性，对太阳能电池的效率提升具有重要作用。背面抛光工艺可以优化太阳能电池性能，但影响该类型太阳能电池性能的因素仍然较多，开发高效的钝化接触太阳能电池具有重要的意义。

发明内容

本申请实施例提供一种太阳能电池，至少有利于降低太阳能电池的接触电阻。

根据本申请一些实施例，本申请实施例一方面提供一种太阳能电池，包括：基底，基底具有相对的正面以及背面，背面包括绒面区以及与绒面区相邻接的平坦区，绒面区的基底内具有掺杂表面场，且掺杂表面场内具有掺杂元素，掺杂元素为N型或者P型；隧穿介质层，隧穿介质层位于基底背面的平坦区；掺杂导电层，掺杂导电层位于隧穿介质层远离基底背面的表面，掺杂导电层具有掺杂元素，掺杂导电层内的掺杂元素类型与掺杂表面场内的掺杂元素类型相同；背电极，背电极的部分底面位于掺杂导电层内且背电极的部分底面与掺杂表面场相接触。

另外，在同一背电极，掺杂表面场和背电极接触面面积与掺杂导电层和背电极接触面面积的比值范围为1:2～2:1。

另外，在同一背电极，沿背电极排布方向上，掺杂表面场和背电极接触面的截面宽度与背电极的宽度的比值范围为1:4～1:2。

另外，掺杂表面场和背电极接触面的截面宽度范围为5μm～20μm。

另外，沿背电极排布方向上，绒面区的基底宽度与平坦区的基底宽度的比值范围为1:3～1:1。

另外，绒面区的基底的宽度为10μm～30μm。

另外，沿背电极排布方向上，绒面区的基底宽度小于背电极的宽度。

另外，背面包括多个绒面区沿背电极延伸方向上排布；相邻绒面区之间的间距范围为10mm～20mm。

另外，在同一背电极，背面包括多个绒面区沿背电极排布方向上排布；相邻绒面区之间的间距范围为5μm～20μm。

另外，沿背面指向正面的方向上，掺杂表面场包括第一掺杂区与第二掺杂区，第一掺杂区的掺杂浓度大于第二掺杂区的掺杂浓度；背电极与第一掺杂区的表面接触。

另外，第一掺杂区的掺杂浓度包括2E20cm^-3～2E21 cm^-3。

另外，第一掺杂区的深度为导电绒面结构的高度的1.5％～4％。