[发明专利]太阳能电池、光伏组件及太阳能电池的制备方法在审
申请号: | 202310317523.8 | 申请日: | 2022-04-11 |
公开(公告)号: | CN116364794A | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | 金井升;张彼克;张昕宇 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/048;H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 组件 制备 方法 | ||
1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:
基底,所述基底具有相对的正面以及背面,所述背面包括绒面区以及与所述绒面区相邻接的平坦区;
隧穿介质层,所述隧穿介质层位于所述基底背面的平坦区;
掺杂导电层,所述掺杂导电层位于所述隧穿介质层远离所述基底背面的表面,所述掺杂导电层具有掺杂元素,所述掺杂导电层内的掺杂元素类型与所述掺杂表面场内的掺杂元素类型相同;
背电极,所述背电极的部分底面位于所述掺杂导电层内且所述背电极的部分底面与所述掺杂表面场直接接触,沿所述背电极排布的方向,所述背面的绒面区的宽度小于所述背电极的宽度;其中,沿所述背面指向正面的方向,所述绒面区和部分所述平坦区与所述背电极相对。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述背面的绒面区具有掺杂表面场,且所述掺杂表面场内具有掺杂元素,所述掺杂元素为N型或者P型;所述背电极与所述掺杂表面场直接接触。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,在同一所述背电极,所述掺杂表面场和所述背电极接触面面积与所述掺杂导电层和所述背电极接触面面积的比值范围为1:2~2:1。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,在同一所述背电极,沿所述背电极排布方向上,所述掺杂表面场和所述背电极接触面的截面宽度与所述背电极的宽度的比值范围为1:4~1:2。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池,其特征在于,所述掺杂表面场和所述背电极接触面的截面宽度范围为5μm~20μm。
6.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述掺杂表面场包括至少一个凸起结构;所述凸起结构的顶部距离所述基底的背面的高度差为2μm~10μm。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池,其特征在于,所述凸起结构的数量至少为两个,相邻的所述凸起结构的之间的间距范围为2μm~4μm。
8.根据权利要求6所述的太阳能电池,其特征在于,所述凸起结构包括金字塔状结构。
9.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,沿所述背面指向正面的方向上,所述掺杂表面场包括第一掺杂区与第二掺杂区,所述第一掺杂区的掺杂浓度大于所述第二掺杂区的掺杂浓度;所述背电极与所述第一掺杂区的表面接触。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一掺杂区的掺杂浓度大于等于所述掺杂导电层的掺杂浓度。
11.根据权利要求9所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一掺杂区的掺杂浓度包括2E20cm-3~2E21 cm-3。
12.根据权利要求9所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一掺杂区的深度为所述掺杂表面场的高度的1.5%~4%。
13.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,沿所述背电极排布方向上,所述绒面区的宽度与所述平坦区的宽度的比值范围为1:3~1:1。
14.根据权利要求13所述的太阳能电池,其特征在于,沿所述背电极排布方向上,所述绒面区的宽度与所述平坦区的宽度的比值范围为1:2.3~1:1.3。
15.根据权利要求13所述的太阳能电池,其特征在于,所述绒面区的宽度为10μm~30μm。
16.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述背面包括多个所述绒面区沿所述背电极延伸方向上排布;相邻所述绒面区之间的间距范围为10mm~20mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的