[发明专利]图案检测方法及图案检测系统

说明书

本公开涉及一种图案检测方法及图案检测系统。所述方法包括：获取第一待检测图案，并根据第一待检测图案确定第一设计图案；根据第一设计图案构建第一检测模型，以基于第一检测模型获取第一待检测图案对应的轮廓版图为第一轮廓版图；获取第二待检测图案，并根据第二待检测图案确定第二设计图案；根据第二设计图案构建第二检测模型，以基于第二检测模型获取第二待检测图案对应的轮廓版图为第二轮廓版图；将第一轮廓版图和第二轮廓版图重叠，检测第一轮廓版图和第二轮廓版图中相关目标结构待测边界之间的边界距离，并根据所述边界距离及预设检测规则确定是否调整第一待检测图案和/或第二待检测图案中相关目标结构的轮廓版图。

技术领域

本公开涉及集成电路制造技术领域，特别是涉及一种图案检测方法及图案检测系统。

背景技术

随着集成电路工艺节点的不断发展，在动态随机存取存储器（Dynamic RandomAccess Memory，DRAM）的制造流程中，“剪切（CUT）”工艺得到了广泛应用。示例地，剪切（CUT）工艺可以表现为：先使用光刻工艺及刻蚀工艺图形化目标材料层，以形成多个待剪切图形；然后再使用光刻工艺及刻蚀工艺图形化前述待剪切图形，以将该待剪切图形切割为目标图形。如此，可以利用剪切工艺实现目标图形的制造。

但是，受限于集成电路特征尺寸的缩小、光刻成像系统的极限分辨率及光刻设备和刻蚀设备的工艺精度，容易使得待剪切图形及剪切图形的实际形成图案相较于初始设计图案存在偏差，导致出现待剪切图形未能被剪切图形有效切断或者待剪切图形被过剪切等缺陷，但现有的检测手段无法准确检测以上缺陷，从而容易限制集成电路的持续性发展。

发明内容

本公开实施例提供了一种图案检测方法及图案检测系统，可以针对相关两个待检测图案的轮廓版图进行检测验证，以提高初始设计图案的精确度，从而能够在待检测图案的设计阶段便有效降低其在后续生产阶段出现缺陷的风险。

根据一些实施例，本公开提供了一种图案检测方法，包括如下步骤。

获取第一待检测图案，并根据第一待检测图案确定第一设计图案。

根据第一设计图案构建第一检测模型，以基于第一检测模型获取第一待检测图案对应的轮廓版图为第一轮廓版图。

获取第二待检测图案，并根据第二待检测图案确定第二设计图案。

根据第二设计图案构建第二检测模型，以基于第二检测模型获取第二待检测图案对应的轮廓版图为第二轮廓版图。

将第一轮廓版图和第二轮廓版图重叠，检测第一轮廓版图和第二轮廓版图中相关目标结构待测边界之间的边界距离，并根据所述边界距离及预设检测规则确定是否调整第一待检测图案和/或第二待检测图案中相关目标结构的轮廓版图。

根据一些实施例，所述根据第一待检测图案确定第一设计图案，以及根据第二待检测图案确定第二设计图案，包括如下步骤。

获取对应待检测图案的最小特征尺寸。

根据所述最小特征尺寸确定蚀刻偏差。

在待检测图案的各轮廓尺寸上增加蚀刻偏差，得到对应的设计图案。

根据一些实施例，所述根据所述最小特征尺寸确定蚀刻偏差，包括：基于所述最小特征尺寸，获取刻蚀可实现条件和工艺窗口参数；根据所述刻蚀可实现条件和所述工艺窗口参数，确定蚀刻偏差。

根据一些实施例，所述根据第一设计图案构建第一检测模型，以及根据第二设计图案构建第二检测模型，包括如下步骤。

根据对应的设计图案建立光学临近修正模型。

基于光学临近修正模型对设计图案进行光学临近修正，得到设计修正图案。

根据设计修正图案，构建对应的检测模型。