[发明专利]图案检测方法及图案检测系统有效
申请号: | 202310317429.2 | 申请日: | 2023-03-29 |
公开(公告)号: | CN116051550B | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
发明(设计)人: | 朱旭东 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G06T7/00 | 分类号: | G06T7/00;H01L21/66;G06T7/60;G06T5/00 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 成亚婷 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图案 检测 方法 系统 | ||
1.一种图案检测方法,其特征在于,包括:
获取第一待检测图案,并根据所述第一待检测图案确定第一设计图案;
根据所述第一设计图案构建第一检测模型,以基于所述第一检测模型获取所述第一待检测图案对应的轮廓版图为第一轮廓版图;
获取第二待检测图案,并根据所述第二待检测图案确定第二设计图案;
根据所述第二设计图案构建第二检测模型,以基于所述第二检测模型获取所述第二待检测图案对应的轮廓版图为第二轮廓版图;
将所述第一轮廓版图和所述第二轮廓版图重叠,检测所述第一轮廓版图和所述第二轮廓版图中相关目标结构待测边界之间的边界距离,并根据所述边界距离及预设检测规则确定是否调整所述第一待检测图案和/或所述第二待检测图案中相关目标结构的轮廓版图;
其中,所述第一待检测图案和所述第二待检测图案均为初始设计图案;所述第一检测模型和所述第二检测模型均包括:光刻模型和蚀刻模型;
所述根据所述第一待检测图案确定第一设计图案,以及所述根据所述第二待检测图案确定第二设计图案,包括:获取对应待检测图案的最小特征尺寸;根据所述最小特征尺寸确定蚀刻偏差;在所述待检测图案的各轮廓尺寸上增加所述蚀刻偏差,得到对应的设计图案;
所述根据所述第一设计图案构建第一检测模型,以及所述根据所述第二设计图案构建第二检测模型,包括:根据对应的设计图案建立光学临近修正模型;基于所述光学临近修正模型对所述设计图案进行光学临近修正,得到设计修正图案;根据所述设计修正图案,构建对应的检测模型;
其中,所述设计图案中增加的所述蚀刻偏差,在基于所述光刻模型或所述蚀刻模型获取所述设计修正图案对应的轮廓版图之后对应减去。
2.根据权利要求1所述的图案检测方法,其特征在于,所述根据所述最小特征尺寸确定蚀刻偏差,包括:
基于所述最小特征尺寸,获取刻蚀可实现条件和工艺窗口参数;
根据所述刻蚀可实现条件和所述工艺窗口参数,确定所述蚀刻偏差。
3.根据权利要求2所述的图案检测方法,其特征在于,所述根据所述设计修正图案,构建对应的检测模型,包括:建立光刻模型和蚀刻模型;
其中,所述光刻模型被配置为:对所述设计修正图案进行显影模拟,以获取显影轮廓版图;
所述蚀刻模型被配置为:对所述显影轮廓版图进行蚀刻模拟,以获取蚀刻轮廓版图。
4.根据权利要求3所述的图案检测方法,其特征在于,所述第一待检测图案对应的所述设计修正图案为第一设计修正图案,所述第一待检测图案对应的所述光刻模型为第一光刻模型,所述第一待检测图案对应的所述蚀刻模型为第一蚀刻模型;所述第二待检测图案对应的所述设计修正图案为第二设计修正图案,所述第二待检测图案对应的所述光刻模型为第二光刻模型,所述第二待检测图案对应的所述蚀刻模型为第二蚀刻模型;
所述基于所述第一检测模型获取所述第一待检测图案对应的轮廓版图为第一轮廓版图,包括:基于所述第一光刻模型对所述第一设计修正图案进行显影模拟,获取初始第一显影轮廓版图;将所述初始第一显影轮廓版图的各轮廓尺寸减去所述蚀刻偏差,得到第一显影轮廓版图;基于所述第一蚀刻模型对所述第一显影轮廓版图进行蚀刻模拟,获取第一蚀刻轮廓版图为所述第一轮廓版图;
所述基于所述第二检测模型获取所述第二待检测图案对应的轮廓版图为第二轮廓版图,包括:基于所述第二光刻模型对所述第二设计修正图案进行显影模拟,获取初始第二显影轮廓版图;将所述初始第二显影轮廓版图的各轮廓尺寸减去所述蚀刻偏差,得到第二显影轮廓版图;基于所述第二蚀刻模型对所述第二显影轮廓版图进行蚀刻模拟,获取第二蚀刻轮廓版图为所述第二轮廓版图。
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