[发明专利]一种共漏双MOSFET结构的制作方法

权利要求书

1.一种共漏双MOSFET结构的制作方法，其特征在于：其包括以下步骤：

（1）、在N-外延上生长薄氧化物；

（2）、在薄氧化物上沉积厚氧化物；

（3）、在厚氧化物上沉积PR；

（4）、PR刻蚀、氧化物刻蚀、沟槽硅刻蚀同时暴露沟槽；

（5）、去除PR；硅圆孔蚀刻；

（6）、移除薄氧化物、厚氧化物，侧壁生长厚氧化层，核心部分生长双层厚氧化层，侧壁生长0.1μm氧化层，核心部分生长0.2μm氧化层；

（7）、核心部分外沟槽PR沉积和掩膜曝光；

（8）、核心部分和侧壁氧化层刻蚀，保留核心部分0.1μm核心氧化层，侧壁氧化层刻蚀清除；去除PR；

（9）、栅极氧化层生长；

（10）、多晶硅沉积，多晶硅CMP刻蚀，并停留在硅表面上；

（11）、本体植入；

（12）、PR沉积和源掩膜曝光并植入源；去除PR并形成源；

（13）、LTO和BPSG沉积；

（14）、PR沉积，接触面曝光， LTO / BPSG蚀刻；

（15）、去除PR、硅接触蚀刻；

（16）、阻挡金属Ti / TiN沉积，钨沉积，AlCu第一金属层 沉积；

（17）、PR沉积，第一金属层面曝光，第一金属层蚀刻，去除PR；

（18）、钝化层沉积，PR沉积，PR曝光，钝化层蚀刻，剥离PR；

（19）、第二金属层沉积，PR沉积，PR曝光，第二金属层蚀刻，剥离PR；

（20）、钝化层沉积，PR沉积，PR曝光，钝化层蚀刻，剥离PR，形成MOSFET结构；

上述方法中，晶圆表面对应第一单元FET1设有金属节点（S1），晶圆表面对应第二单元FET2设有金属节点（S2），每个共漏双MOSFET结构的金属节点（S2）通过第三维度方向正面金属连接，第一单元FET1的栅极分布在金属节点（S1）两侧，第二单元FET2的栅极分布在金属节点（S2）两侧，第一单元FET1与第二单元FET2之间的距离小于30μm，第一单元FET1的端沟与第二单元FET2的端沟分别设置在FET1与FET2距离最远的两侧。