[发明专利]发光二极管芯片及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202310283404.5 申请日: 2023-03-22
公开(公告)号: CN116404084A 公开(公告)日: 2023-07-07
发明(设计)人: 兰叶;王江波;朱广敏;吴志浩;张威 申请(专利权)人: 华灿光电(浙江)有限公司
主分类号: H01L33/20 分类号: H01L33/20;H01L33/46;H01L33/00
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 吕耀萍
地址: 322000 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 芯片 及其 制作方法
【说明书】:

本公开提供了一种LED芯片及其制作方法,属于半导体器件技术领域。该LED芯片包括:蓝宝石衬底、第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一电极和第二电极;蓝宝石衬底具有相对的第一表面和第二表面、以及连接第一表面和第二表面的四个侧壁,四个侧壁首尾依次相连;第一半导体层、发光层和第二半导体层依次层叠在第一表面,第一电极与第一半导体层连接,第二电极与第二半导体层连接;其中,第二表面和相邻的两个侧壁之间的连接处为外凸的弧面。该LED芯片的出光均匀性较好。

技术领域

本公开涉及半导体器件技术领域,尤其涉及一种发光二极管芯片及其制作方法。

背景技术

LED(Light Emitting Diode,发光二极管)作为一种常用的发光器件,已被广泛地应用于生活。LED芯片主要分为正装LED芯片、倒装LED芯片和垂直LED芯片三种。

其中,倒装LED芯片通常包括蓝宝石衬底、第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一电极和第二电极。第一半导体层、发光层和第二半导体层依次层叠在蓝宝石衬底的表面,第一电极与第一半导体层连接,第二电极与第二半导体层连接。

蓝宝石衬底为长方体结构,且蓝宝石的折射率比较高。发光层发出的光在到达蓝宝石的四个顶角处时,容易发生全反射,导致顶角处的出光较弱,使得倒装LED芯片出光不均匀。

发明内容

本公开实施例提供了一种发光二极管芯片及其制作方法,可以提高蓝宝石衬底的顶角处的出光,从而提高LED芯片出光的均匀性。所述技术方案如下:

一方面,本公开实施例提供了一种LED芯片。该LED芯片包括蓝宝石衬底、第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一电极和第二电极。所述蓝宝石衬底具有相对的第一表面和第二表面、以及连接所述第一表面和所述第二表面的四个侧壁,四个侧壁首尾依次相连;所述第一半导体层、所述发光层和所述第二半导体层依次层叠在所述第一表面,所述第一电极与所述第一半导体层连接,所述第二电极与所述第二半导体层连接。所述第二表面和相邻的两个所述侧壁之间的连接处为外凸的弧面。

可选地,所述弧面的圆心与所述第二表面的中心之间的连线与所述第二表面垂直,且所述弧面的圆心与所述第二表面的中心之间的距离与所述第一表面的长边的长度的比值为0.9~1.1,所述弧面的半径等于所述第一表面的长边的0.6~0.8。

可选地,所述第二表面具有取光结构,所述取光结构包括凹陷和凸起中的至少一种。

可选地,所述取光结构包括多个凹槽,每个所述凹槽均呈环状,所述多个凹槽的中心与所述第二表面的中心重合,且所述多个凹槽以所述第二表面的中心为中心径向向外间隔布置。

可选地,每个所述凹槽的横截面均为等腰三角形且所述等腰三角形的底边位于所述第二表面,在以所述第二表面的中心为中心径向向外的方向上,所述多个凹槽的侧壁所在平面与所述第二表面之间的夹角依次增大。

可选地,所述多个凹槽中,在以所述第二表面的中心为中心径向向外的方向上,第一个所述凹槽的侧壁所在平面与所述第二表面之间的夹角为10±2度,最后一个所述凹槽的侧壁所在平面与所述第二表面之间的夹角为30±5度。

可选地,所述多个凹槽中,在以所述第二表面的中心为中心径向向外的方向上,相邻的两个凹槽之间的间距依次减小。

可选地,所述LED芯片还包括反射层、第一焊盘和第二焊盘,所述第一焊盘通过所述反射层中的第一过孔与所述第一电极连接,所述第二焊盘通过所述反射层中的第二过孔与所述第二电极连接。

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