[发明专利]发光二极管芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：蓝宝石衬底、第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一电极和第二电极；

所述蓝宝石衬底具有相对的第一表面和第二表面、以及连接所述第一表面和所述第二表面的四个侧壁，所述四个侧壁首尾依次相连；

所述第一半导体层、所述发光层和所述第二半导体层依次层叠在所述第一表面，所述第一电极与所述第一半导体层连接，所述第二电极与所述第二半导体层连接；

其中，所述第二表面和相邻的两个所述侧壁之间的连接处为外凸的弧面。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述弧面的圆心与所述第二表面的中心之间的连线与所述第二表面垂直，且所述弧面的圆心与所述第二表面的中心之间的距离与所述第一表面的长边的长度的比值为0.9～1.1，所述弧面的半径等于所述第一表面的长边的0.6～0.8。

3.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第二表面具有取光结构，所述取光结构包括凹陷和凸起中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述取光结构包括多个凹槽，每个所述凹槽均呈环状，所述多个凹槽的中心与所述第二表面的中心重合，所述多个凹槽以所述第二表面的中心为中心径向向外间隔布置，且每个所述凹槽在所述第一表面的正投影与所述第一表面的外轮廓为相似图形。

5.根据权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于，每个所述凹槽的横截面均为等腰三角形且所述等腰三角形的底边位于所述第二表面，在以所述第二表面的中心为中心径向向外的方向上，所述多个凹槽的侧壁所在平面与所述第二表面之间的夹角依次增大。

6.根据权利要求5所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述多个凹槽中，在以所述第二表面的中心为中心径向向外的方向上，第一个所述凹槽的侧壁所在平面与所述第二表面之间的夹角为10±2度，最后一个所述凹槽的侧壁所在平面与所述第二表面之间的夹角为30±5度。

7.根据权利要求4至6任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述多个凹槽中，在以所述第二表面的中心为中心径向向外的方向上，相邻的两个凹槽之间的间距依次减小。

8.根据权利要求1至2和权利要求4至6任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片还包括反射层、第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘通过所述反射层中的第一过孔与所述第一电极连接，所述第二焊盘通过所述反射层中的第二过孔与所述第二电极连接。

9.根据权利要求8所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述反射层的与所述第一焊盘和所述第二焊盘接触的表面分别具有多个凸条，每个所述凸条的横截面与所述凸条的长度方向垂直，且呈三角形，所述多个凸条的长度方向与所述第一表面的长边的延伸方向相同，所述多个凸条的排列方向与所述第一表面的短边的延伸方向相同；

所述第一焊盘和所述第二焊盘均包括沿远离所述反射层的方向依次层叠的多个金属层，所述多个金属层中，最靠近所述反射层的金属层为Al层，且附着于所述凸条的侧壁上。

10.一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在蓝宝石衬底的第一表面上形成第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一电极和第二电极，所述第一半导体层、所述发光层和所述第二半导体层依次层叠在所述第一表面，所述第一电极与所述第一半导体层连接，所述第二电极与所述第二半导体层连接，所述蓝宝石衬底还包括与所述第一表面相对的第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面的四个侧壁，所述四个侧壁首尾依次相连；

在所述第二表面与相邻的两个所述侧壁之间的连接处形成外凸的弧面。