[发明专利]一种溅射镀膜用钛硅合金靶材的制备方法

权利要求书

1.一种溅射镀膜用钛硅合金靶材的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤一、将海绵钛与结晶硅按比例混合后，采用钛箔包裹成合金条或合金块；

步骤二、将步骤一中得到的合金条或合金块置于真空感应熔炼气雾化设备的水冷铜坩埚中进行真空中频感应熔炼，待合金条或合金块形成钛硅合金熔液后充入氩气保护；

步骤三、通过对水冷铜坩埚底部的导流系统加热，使得步骤二中形成的钛硅合金熔液从导流系统流至雾化区，待形成稳定钛硅熔融液柱后开启高压氩气，对钛硅熔融液柱进行破碎雾化制粉，得到钛硅合金粉末；

步骤四、将步骤三中制备的钛硅合金粉末装入石墨模具进行热压快速烧结，待冷却后从模具中取出，经机加工得到钛硅合金靶材。

2.根据权利要求1所述的一种溅射镀膜用钛硅合金靶材的制备方法，其特征在于，步骤一中所述海绵钛与结晶硅为块状或颗粒状。

3.根据权利要求1所述的一种溅射镀膜用钛硅合金靶材的制备方法，其特征在于，步骤一中所述海绵钛与结晶硅中按原子百分比计海绵钛的含量为20％～50％，结晶硅的含量为50％～80％。

4.根据权利要求1所述的一种溅射镀膜用钛硅合金靶材的制备方法，其特征在于，步骤二中所述真空中频感应熔炼的温度为1350℃～1600℃。

5.根据权利要求1所述的一种溅射镀膜用钛硅合金靶材的制备方法，其特征在于，步骤三中所述破碎雾化制粉的雾化压力为3MPa～6MPa。

6.根据权利要求1所述的一种溅射镀膜用钛硅合金靶材的制备方法，其特征在于，步骤四中所述热压快速烧结的温度为1100℃～1300℃，压力为20MPa～30MPa，所述冷却采用的冷却介质为水。