[发明专利]单刀双掷微波开关在审

专利信息
申请号: 202310249449.0 申请日: 2023-03-15
公开(公告)号: CN116346110A 公开(公告)日: 2023-06-27
发明(设计)人: 戴剑;王磊;李士卿;崔亮;陈南庭;宋学峰;侯伦;刘方罡;刘海峰;郭丰强;武世英;申靖轩;范仁钰;傅琦;刘乐乐;高显;苏辰飞;梁家铖 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人: 付晓娣
地址: 050051 *** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 单刀 微波 开关
【说明书】:

本申请适用于半导体技术领域,提供了一种单刀双掷微波开关。该单刀双掷微波开关包括:第一晶体管、第二晶体管、第一电感、第二电感、输入端口、第一输出端口、第二输出端口、第一控制端口和第二控制端口;第一晶体管的第一端连接输入端口,第一晶体管的第二端连接第一输出端口,第一晶体管的栅极连接第一控制端口;第二晶体管的第一端连接输入端口,第二晶体管的第二端连接第二输出端口,第二晶体管的栅极连接第二控制端口;第一电感并联于第一晶体管的第一端与第一晶体管的第二端之间,第二电感并联于第二晶体管的第一端与第二晶体管的第二端之间。本申请提供的单刀双掷微波开关具有低插入损耗,降低了射频信号的损耗。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域,具体涉及一种单刀双掷微波开关。

背景技术

微波开关是各种现代无线系统的关键组件,在控制信号通断和信号控制的电路中有着广泛应用。传统的微波开关使用波导、同轴线和铁氧体实现,体积大不适于应用在MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit,单片微波集成电路)芯片中。随着半导体技术的发展,固态开关占据了主流。常用的固态开关为GaAs基开关,GaAs基开关又称GaAs基高电子迁移率晶体管,具有偏置电路简单、直流功耗低、开关速度高以及集成度高等优势。

然而,常规的基于GaAs基开关的微波开关通常有较大的插入损耗,进而影响整个无线系统的效率。

发明内容

有鉴于此,本申请实施例提供了一种单刀双掷微波开关,以解决常规的基于GaAs基开关的微波开关的插入损耗大的技术问题。

第一方面,本申请实施例提供了一种单刀双掷微波开关,包括:第一晶体管、第二晶体管、第一电感、第二电感、输入端口、第一输出端口、第二输出端口、第一控制端口和第二控制端口;第一晶体管的第一端连接输入端口,第一晶体管的第二端连接第一输出端口,第一晶体管的栅极连接第一控制端口;第二晶体管的第一端连接输入端口,第二晶体管的第二端连接第二输出端口,第二晶体管的栅极连接第二控制端口;第一电感并联于第一晶体管的第一端与第一晶体管的第二端之间,第二电感并联于第二晶体管的第一端与第二晶体管的第二端之间。

在第一方面的一种可能的实施方式中,第一控制端口用于输入第一控制信号,第二控制端口用于输入第二控制信号;第一晶体管的栅极根据第一控制信号控制第一晶体管的开关状态;第二晶体管的栅极根据第二控制信号控制第二晶体管的开关状态。

在第一方面的一种可能的实施方式中,在第一晶体管处于开态时,第二晶体管处于关态;在第一晶体管处于关态时,第二晶体管处于开态。

在第一方面的一种可能的实施方式中,在第一晶体管的第一端为漏极时,第一晶体管的第二端为源级;在第一晶体管的第一端为源极时,第一晶体管的第二端为漏级。

在第一方面的一种可能的实施方式中,在第二晶体管的第一端为漏极时,第二晶体管的第二端为源级;在第二晶体管的第一端为源极时,第二晶体管的第二端为漏级。

在第一方面的一种可能的实施方式中,第一电感的阻抗根据第一晶体管的等效电容的阻抗和第一晶体管的中心频率确定;其中,第一晶体管的等效电容的阻抗为第一晶体管处于关态时的等效电路的阻抗。

在第一方面的一种可能的实施方式中,第一电感的阻抗为:

其中,L01为第一电感的阻抗,C01为第一晶体管的等效电容的阻抗,f01为第一晶体管的中心频率。

在第一方面的一种可能的实施方式中,第二电感的阻抗根据第二晶体管的等效电容的阻抗和第二晶体管的中心频率确定;其中,第二晶体管的等效电容的阻抗为第二晶体管处于关态时的等效电路的阻抗。

在第一方面的一种可能的实施方式中,第二电感的阻抗为:

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