[发明专利]单刀双掷微波开关在审
| 申请号： | 202310249449.0 | 申请日： | 2023-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN116346110A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 戴剑;王磊;李士卿;崔亮;陈南庭;宋学峰;侯伦;刘方罡;刘海峰;郭丰强;武世英;申靖轩;范仁钰;傅琦;刘乐乐;高显;苏辰飞;梁家铖 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 付晓娣 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单刀 微波 开关 | ||
1.一种单刀双掷微波开关，其特征在于，包括：第一晶体管、第二晶体管、第一电感、第二电感、输入端口、第一输出端口、第二输出端口、第一控制端口和第二控制端口；
所述第一晶体管的第一端连接所述输入端口，所述第一晶体管的第二端连接所述第一输出端口，所述第一晶体管的栅极连接所述第一控制端口；
所述第二晶体管的第一端连接所述输入端口，所述第二晶体管的第二端连接所述第二输出端口，所述第二晶体管的栅极连接所述第二控制端口；
所述第一电感并联于所述第一晶体管的第一端与所述第一晶体管的第二端之间，所述第二电感并联于所述第二晶体管的第一端与所述第二晶体管的第二端之间。
2.根据权利要求1所述的单刀双掷微波开关，其特征在于，所述第一控制端口用于输入第一控制信号，所述第二控制端口用于输入第二控制信号；
所述第一晶体管的栅极根据所述第一控制信号控制所述第一晶体管的开关状态；
所述第二晶体管的栅极根据所述第二控制信号控制所述第二晶体管的开关状态。
3.根据权利要求1所述的单刀双掷微波开关，其特征在于，在所述第一晶体管处于开态时，所述第二晶体管处于关态；
在所述第一晶体管处于关态时，所述第二晶体管处于开态。
4.根据权利要求1所述的单刀双掷微波开关，其特征在于，在所述第一晶体管的第一端为漏极时，所述第一晶体管的第二端为源级；在所述第一晶体管的第一端为源极时，所述第一晶体管的第二端为漏级。
5.根据权利要求1所述的单刀双掷微波开关，其特征在于，在所述第二晶体管的第一端为漏极时，所述第二晶体管的第二端为源级；在所述第二晶体管的第一端为源极时，所述第二晶体管的第二端为漏级。
6.根据权利要求1所述的单刀双掷微波开关，其特征在于，所述第一电感的阻抗根据所述第一晶体管的等效电容的阻抗和所述第一晶体管的中心频率确定；
其中，所述第一晶体管的等效电容的阻抗为所述第一晶体管处于关态时的等效电路的阻抗。
7.根据权利要求6所述的单刀双掷微波开关，其特征在于，所述第一电感的阻抗为：
其中，L01为第一电感的阻抗，C01为第一晶体管的等效电容的阻抗，f01为第一晶体管的中心频率。
8.根据权利要求1所述的单刀双掷微波开关，其特征在于，所述第二电感的阻抗根据所述第二晶体管的等效电容的阻抗和所述第二晶体管的中心频率确定；
其中，所述第二晶体管的等效电容的阻抗为所述第二晶体管处于关态时的等效电路的阻抗。
9.根据权利要求8所述的单刀双掷微波开关，其特征在于，所述第二电感的阻抗为：
其中，L02为第二电感的阻抗，C02为第二晶体管的等效电容的阻抗，f02为第二晶体管的中心频率。
10.根据权利要求1至9任一项所述的单刀双掷微波开关，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为GaAs基高电子迁移率晶体管。
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