[发明专利]气动式压合方法及压合装置有效
| 申请号: | 202310244560.0 | 申请日: | 2023-03-15 | 
| 公开(公告)号: | CN115938996B | 公开(公告)日: | 2023-06-13 | 
| 发明(设计)人: | 王龙;王善行;徐威 | 申请(专利权)人: | 昆山鸿仕达智能科技股份有限公司 | 
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687;H01L21/52;B30B1/38 | 
| 代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 黄静依 | 
| 地址: | 215331 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 气动式 方法 装置 | ||
本发明公开一种气动式压合方法及压合装置。压合方法包括如下步骤:S1、电气比例阀将气缸中的气压调节为第一预设气压,气缸的活塞杆下方设有压力传感器;S2、顶升机构将第一工件逐渐抬升,压力传感器检测气缸与工件之间的压合力,当压合力等于第一预设气压时,顶升机构停止上升;S3、顶升机构在同一高度保持预设时间后,顶升机构下降,完成压合。压合装置包括工作台、压合机构与顶升机构,压合机构包括气缸、电气比例阀及压力传感器,电气比例阀用于调节气缸中的气压,压力传感器的下方连接有压合头;顶升台能够沿上下方向相对运动地设置在压合头的下方。本发明的压力传感器能够与电气比例阀相互配合,实现气缸压力灵活可调,确保压合质量。
技术领域
本发明涉及压合设备技术领域,尤其涉及一种气动式压合方法及压合装置。
背景技术
在芯片等半导体元件的生产制作过程中,芯片本身非常容易脆断,因此通常需要将芯片封装在具有一定强度的材料中加以保护,尤其对于一些性能强大的芯片,需要使用金属外壳进行保护,金属保护盖可以同时起到散热的功能。现有的芯片植盖工艺中,首先在芯片上涂布热熔胶,然后将保护盖放植到芯片上,最后使用压合装置将保护盖与芯片进行压合封装,确保两者牢固结合。
对于芯片这样的高精密产品而言,压合力的准确控制十分重要,若压力过小,则保护盖与芯片结合不紧密,容易脱落;若压合力过大,则可能损坏芯片,产生不良品。现有技术中,不同型号的芯片对压力的需求各有不同,为了适应于不同芯片,压合装置中在压合头上安放具有不同标准重量的砝码,当顶升机构将芯片与保护盖组成的工件抬升时,工件抵接在压合头下方,并继续将压合头及其上的砝码顶起一定高度,此时工件所承受的压力就等于上方砝码的总重量。上述压合方法中,针对不同的芯片,操作人员每次都需要更换不同重量配置的砝码,还需要预先在校验平台上对各砝码的重量进行检验校准,步骤繁琐、耗费时间精力。此外,每台压合装置所能够摆放的砝码数量较为有限,对于一些具有高压力需求的芯片,传统的砝码难以满足其所需的高压力。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术存在的不足,提供一种操作简单、压合力控制精准的气动式压合方法及压合装置。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案是:
一种气动式压合方法,所述压合方法包括如下步骤:
S1、使用电气比例阀将气缸中的气压调节为第一预设气压,所述气缸的活塞杆沿上下方向延伸,所述活塞杆的下方设有压力传感器,所述压力传感器的下方连接有压合头;
S2、顶升机构将待压合的第一工件逐渐抬升,直至所述第一工件抵靠在所述压合头的下表面,所述压力传感器检测所述气缸与所述第一工件之间的压合力,当所述压合力等于所述第一预设气压时,所述顶升机构停止抬升;
S3、所述顶升机构将所述第一工件在同一高度保持预设时间后,所述顶升机构驱动所述第一工件下降,所述第一工件与所述压合头脱离接触,所述第一工件完成压合。
在一些实施方式中,在所述S1中,所述压力传感器与所述活塞杆的下端部间隙配合;在所述S2中,所述压力传感器在所述第一工件的推动下与所述活塞杆的下端部相抵接。
在一些实施方式中,在所述压合方法中,所述气缸的活塞杆始终不相对于所述气缸的缸体伸缩运动。
在一些实施方式中,所述压合方法还包括如下步骤:
S4、使用所述电气比例阀将所述气缸中的气压调节为第二预设气压;
S5、所述顶升机构将待压合的第二工件逐渐抬升,直至所述第二工件抵靠在所述压合头的下表面,所述压力传感器检测所述气缸与所述第二工件之间的压合力,当所述压合力等于所述第二预设气压时,所述顶升机构停止抬升;
S6、所述顶升机构将所述第二工件在同一高度保持预设时间后,所述顶升机构驱动所述第二工件下降,所述第二工件与所述压合头脱离接触,所述第二工件完成压合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





