[发明专利]气动式压合方法及压合装置有效
| 申请号: | 202310244560.0 | 申请日: | 2023-03-15 |
| 公开(公告)号: | CN115938996B | 公开(公告)日: | 2023-06-13 |
| 发明(设计)人: | 王龙;王善行;徐威 | 申请(专利权)人: | 昆山鸿仕达智能科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687;H01L21/52;B30B1/38 |
| 代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 黄静依 |
| 地址: | 215331 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 气动式 方法 装置 | ||
1.一种气动式压合方法,其特征在于,所述压合方法包括如下步骤:
S1、使用电气比例阀将气缸中的气压调节为第一预设气压,所述气缸的活塞杆沿上下方向延伸,所述活塞杆的下方设有压力传感器,所述压力传感器的下方连接有压合头;
S2、顶升机构将待压合的第一工件逐渐抬升,直至所述第一工件抵靠在所述压合头的下表面,所述压力传感器检测所述气缸与所述第一工件之间的压合力,当所述压合力等于所述第一预设气压时,所述顶升机构停止抬升;
S3、所述顶升机构将所述第一工件在同一高度保持预设时间后,所述顶升机构驱动所述第一工件下降,所述第一工件与所述压合头脱离接触,所述第一工件完成压合。
2.根据权利要求1所述的气动式压合方法,其特征在于:
在所述S1中,所述压力传感器与所述活塞杆的下端部间隙配合;
在所述S2中,所述压力传感器在所述第一工件的推动下与所述活塞杆的下端部相抵接。
3.根据权利要求1所述的气动式压合方法,其特征在于,在所述压合方法中,所述气缸的活塞杆始终不相对于所述气缸的缸体伸缩运动。
4.根据权利要求1所述的气动式压合方法,其特征在于,所述压合方法还包括如下步骤:
S4、使用所述电气比例阀将所述气缸中的气压调节为第二预设气压;
S5、所述顶升机构将待压合的第二工件逐渐抬升,直至所述第二工件抵靠在所述压合头的下表面,所述压力传感器检测所述气缸与所述第二工件之间的压合力,当所述压合力等于所述第二预设气压时,所述顶升机构停止抬升;
S6、所述顶升机构将所述第二工件在同一高度保持预设时间后,所述顶升机构驱动所述第二工件下降,所述第二工件与所述压合头脱离接触,所述第二工件完成压合。
5.根据权利要求4所述的气动式压合方法,其特征在于,在所述S2中,所述第一工件被抬升至第一高度;在所述S5中,所述第二工件同样被抬升至所述第一高度。
6.根据权利要求1所述的气动式压合方法,其特征在于,在所述S2中,若所述压力传感器检测到所述气缸与所述第一工件之间的压合力大于所述第一预设气压,则使用所述电气比例阀降低所述气缸中的气压;若所述压力传感器检测到所述压合力小于所述第一预设气压,则使用所述电气比例阀增大所述气缸中的气压。
7.根据权利要求1所述的气动式压合方法,其特征在于,在所述S2中,所述顶升机构同时抬升多个所述第一工件,多个所述第一工件的上表面始终位于同一水平面内,每个所述第一工件均由一个所述气缸进行压合,每个所述第一工件与所述气缸之间均设有一个所述压力传感器。
8.一种气动式压合装置,其特征在于:所述压合装置包括工作台、压合机构与顶升机构,其中,所述压合机构包括气缸、电气比例阀及压力传感器,所述气缸的活塞杆沿上下方向延伸,所述气缸及其活塞杆均固设于所述工作台的上方,所述电气比例阀用于调节所述气缸中的气压,所述压力传感器设于所述活塞杆的下方,所述压力传感器的下方连接有压合头,所述压力传感器与所述压合头能够沿上下方向相对运动地设置;所述顶升机构包括顶升台,所述顶升台能够沿上下方向相对运动地设置在所述压合头的下方;所述压合装置还包括控制系统,所述控制系统与所述电气比例阀、所述压力传感器、所述顶升机构分别信号连接。
9.根据权利要求8所述的气动式压合装置,其特征在于:所述压力传感器具有第一位置与第二位置,当所述压力传感器位于第一位置时,所述压力传感器与所述活塞杆的下端部间隙配合;当所述压力传感器位于第二位置时,所述压力传感器抵靠在所述活塞杆的下端部;待压合的工件位于所述工作台与所述压合头之间,所述顶升台能够沿上下方向穿过工作台运动。
10.根据权利要求8所述的气动式压合装置,其特征在于:所述压合机构包括多组压合组件,每组所述压合组件用于压合一个工件,每组所述压合组件均包括所述气缸、所述电气比例阀及所述压力传感器,其中,所述电气比例阀设于所述气缸上方;所述顶升台能够同时抬升多个所述工件,多个所述工件与多个所述压合组件的位置一一对应。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





