[发明专利]一种Micro OLED微腔结构及其制备方法及OLED器件在审
| 申请号： | 202310235988.9 | 申请日： | 2023-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN116490027A | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 曹君;李维维;李成志;何靖;胡俊杰;冯学猛 | 申请（专利权）人： | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H10K59/12 | 分类号： | H10K59/12;H10K59/35;H10K50/818;H10K50/852;H10K71/00 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 尹婷婷 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市芜湖长江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 micro oled 结构 及其 制备 方法 器件 | ||
1.一种Micro OLED微腔结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
(1)在CMOS基板上制备像素定义层；
(2)重复多次黄光制程，制备出不同厚度的R反射阳极、G反射阳极、B反射阳极；
(3)在反射阳极及像素定义层之上打印一层透明导电胶并固化形成透明导电层；
(4)将透明导电层整体减薄至像素定义层之上的透明导电层消失，这样分别在R反射阳极、G反射阳极、B反射阳极之上形成了不同厚度的透明导电层；
(5)在透明导电层之上制备一层透明阳极，即分别在R反射阳极、G反射阳极、B反射阳极之上的透明导电层之上形成了R透明阳极、G透明阳极、B透明阳极；
(6)通过蒸镀制程完成后续的有机功能层、阴极的制备。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述像素定义层的高度高于反射阳极的高度。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，反射阳极的材料为钼、铝、银中的任意一种或多种。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述透明导电胶的材料为纳米银胶。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述透明阳极的厚度为10-100nm。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述透明阳极的材料为ITO、IGZO、IZO中的任意一种或多种。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述打印为喷墨打印。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，通过干刻工艺进行减薄。
9.如权利要求1-8任意一项所述的制备方法制备得到的Micro OLED微腔结构。
10.一种OLED器件，其特征在于，所述OLED器件中含有权利要求9所述的Micro OLED微腔结构。
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