[发明专利]一种高致密化氧化铝涂层及其加工工艺

权利要求书

1.一种高致密化氧化铝涂层，其特征在于，所述氧化铝涂层至少包括一层氧化铝单层，每一所述氧化铝单层上形成有离子轰击氧化铝单层表面得到的致密界面层；

所述氧化铝单层由满足非化学计量比的AlO_x构成，其中，氧含量：0x1.5。

2.根据权利要求1所述的高致密化氧化铝涂层，其特征在于，所述致密界面层的厚度为0-2μm。

3.一种如权利要求1或2所述的高致密化氧化铝涂层的加工工艺，其特征在于，包括：

将基体置于真空环境下清洁；

以氩气为溅射气体，氧气为反应气体，采用高功率脉冲磁控溅射铝靶制备氧化铝单层；

采用弧放电离子源，利用刻蚀气体对氧化铝单层轰击，在氧化铝单层形成致密界面层；

以高功率脉冲磁控溅射至弧放电离子源轰击为一周期，所述加工工艺至少完成一个周期。

4.根据权利要求3所述的高致密化氧化铝涂层的加工工艺，其特征在于，基体进行真空清洁的步骤为：将基体放入真空室中，对真空室进行抽真空，待真空度降至3*10^-3Pa以下后，对真空室进行加热至200℃～400℃；

充入氩气，气压控制在1Pa～2Pa，开启脉冲偏压：偏压控制在500V～1000V，频率控制在50KHz～80KHz，脉宽控制在20μs～100μs。

5.根据权利要求4所述的高致密化氧化铝涂层的加工工艺，其特征在于，基体清洗时间为10min～20min。

6.根据权利要求3所述的高致密化氧化铝涂层的加工工艺，其特征在于，进行高功率脉冲磁控溅射的步骤为：充入氩气和氧气，气压控制在0.2Pa～1Pa，开启脉冲偏压：偏压控制在0～300V，频率控制在50KHz～80KHz，脉宽控制在20μs～100μs；

采用高功率脉冲磁控溅射电源溅射铝靶。

7.根据权利要求3或6所述的高致密化氧化铝涂层的加工工艺，其特征在于，充入的氧气和氩气的O/Al原子比为1.37～1.7。

8.根据权利要求6所述的高致密化氧化铝涂层的加工工艺，其特征在于，所述高功率脉冲磁控溅射电源采用频率控制模式，功率1kW～5kW、峰值电流200A～380A、脉宽10μs～80μs。

9.根据权利要求3所述的高致密化氧化铝涂层的加工工艺，其特征在于，进行弧放电离子源轰击的步骤为：通入刻蚀气体，气压控制在0.3Pa～2Pa，利用弧放电离子源对氧化铝单层轰击，电流50A～100A，离子能量50～200eV。

10.根据权利要求3或9所述的高致密化氧化铝涂层的加工工艺，其特征在于，所述刻蚀气体包括但不限于：氩气、氧气或氮气。