[发明专利]用于超导磁拉单晶硅磁体线圈骨架的定位装配结构在审

专利信息
申请号: 202310225999.9 申请日: 2023-03-09
公开(公告)号: CN116110677A 公开(公告)日: 2023-05-12
发明(设计)人: 卞文龙 申请(专利权)人: 成都奥创超磁科技有限公司
主分类号: H01F6/06 分类号: H01F6/06;H01F27/30
代理公司: 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 代理人: 刘婷婷
地址: 610000 四川省成都市高新区*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 用于 超导 单晶硅 磁体 线圈 骨架 定位 装配 结构
【说明书】:

发明涉及一种用于超导磁拉单晶硅磁体线圈骨架的定位装配结构。该定位装配结构包括内筒、外筒、基座、端盖、超导线圈、骨架安装座和线圈骨架,线圈骨架由无磁的金属材料制成;骨架安装座配设为四个,线圈骨架呈圆形;基座的内切圆直径等于内筒的外径;两对平面上对应的设有骨架安装座,每对平面相邻设置;位于两个骨架安装座之间的平面上设有加强件;超导线圈绕设于线圈骨架上;端盖配设为两组并分别焊接于内筒的两端;外筒套设于基座,且外筒的两端分别焊接于端盖;其中,内筒、外筒、基座和端盖这几者的结合处均设有焊缝。由此,有效提高磁体的生产质量并提高生产效率。

技术领域

本发明属于超导磁体技术领域,涉及一种用于超导磁拉单晶硅磁体线圈骨架的定位装配结构。

背景技术

单晶硅是硅的单晶体,具有基本完整的点阵结构的晶体。基于其在不同的方向具有不同的性质,单晶硅是一种良好的半导材料,可用于制造半导体器件、太阳能电池、芯片等。

单晶硅作为制造手机芯片的主要材料,其纯度直接影响芯片的性能,采用超导磁控制技术的单晶硅生长炉能克服由于成分偏析引起的二级缺陷及杂质,由此提升单晶硅的纯度,使其纯度达到99.9999999%及以上。

为生产这种高品质的单晶硅,采用超导磁拉单晶硅磁体是其必备的核心设备。对此,如何有效提高磁体的生产质量并提高生产效率,是当前亟待解决的重要难题。

发明内容

本发明的目的是提供一种用于超导磁拉单晶硅磁体线圈骨架的定位装配结构,以有效提高磁体的生产质量并提高生产效率,是当前亟待解决的重要难题。

为了实现上述目的,本发明提供一种用于超导磁拉单晶硅磁体线圈骨架的定位装配结构,包括内筒、外筒、基座、端盖、超导线圈、骨架安装座和线圈骨架,所述线圈骨架由无磁的金属材料制成;所述骨架安装座配设为四个,所述线圈骨架呈圆形;

所述基座呈正六边形并具有六个平面,所述基座的内切圆直径等于所述内筒的外径,以使得所述内筒能够贴靠于所述基座的内壁;

其中,两对平面上分别一一对应地设有骨架安装座,在两对平面中,每对平面相邻设置;位于两个骨架安装座之间的平面上设有加强件,以能够提高该平面的刚度;

所述线圈骨架设置于所述骨架安装座上,且所述骨架安装座上还设有用于限定所述超导线圈位置的进出线板;所述超导线圈绕设于所述线圈骨架上;

所述端盖配设为两组并分别焊接于所述内筒的两端;所述外筒套设于所述基座的外周,且所述外筒的两端分别焊接于所述端盖;其中,所述内筒、所述外筒、所述基座和所述端盖这几者的结合处均设有焊缝,以使得所述内筒、所述端盖和所述外筒共同形成一个完全密封的低温液氦容器。

在一种可能的设计中,所述基座包括均配设为六个的底板、定位板和六方梁,所述定位板由无磁金属材料制成,所述六方梁沿圆周方向均匀间隔排布,所述底板设置于相邻的六方梁之间,且所述底板贴合于所述六方梁的侧面并可拆卸地连接于所述六方梁;所述定位板的一端连接于所述六方梁,另一端连接于所述内筒;所述六方梁的两端分别焊接于两个端盖。

在一种可能的设计中,每个底板的两侧设有复数个安装孔,每个六方梁的两侧设有复数个与所述安装孔一一对应设置的螺纹孔;所述定位装配结构还包括复数个与所述螺纹孔一一对应的固定螺钉;所述固定螺钉穿过所述安装孔并螺接于所述螺纹孔中,以使得所述底板固定连接于所述六方梁。

在一种可能的设计中,所述骨架安装座呈圆环状,包括贴靠于所述基座的内端面和贴靠于所述线圈骨架的外端面;

所述内端面设有复数个第一螺孔,所述第一螺孔呈圆周阵列布置,所述基座上设有复数个且与所述第一螺孔一一对应的第一沉头孔;

所述外端面设有复数个第二螺孔,所述第二螺孔呈圆周阵列布置,所述线圈骨架上设有复数个且与所述第二螺孔一一对应的第二沉头孔;

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