[发明专利]用于超导磁拉单晶硅磁体线圈骨架的定位装配结构在审
| 申请号: | 202310225999.9 | 申请日: | 2023-03-09 |
| 公开(公告)号: | CN116110677A | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
| 发明(设计)人: | 卞文龙 | 申请(专利权)人: | 成都奥创超磁科技有限公司 |
| 主分类号: | H01F6/06 | 分类号: | H01F6/06;H01F27/30 |
| 代理公司: | 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 | 代理人: | 刘婷婷 |
| 地址: | 610000 四川省成都市高新区*** | 国省代码: | 四川;51 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 超导 单晶硅 磁体 线圈 骨架 定位 装配 结构 | ||
1.一种用于超导磁拉单晶硅磁体线圈骨架的定位装配结构,其特征在于,包括内筒(1)、外筒(2)、基座(3)、端盖(4)、超导线圈(5)、骨架安装座(6)和线圈骨架(7),所述线圈骨架(7)由金属材料制成;所述骨架安装座(6)配设为四个,所述线圈骨架(7)呈圆形;
所述基座(3)呈正六边形并具有六个平面,所述基座(3)的内切圆直径等于所述内筒(1)的外径,以使得所述内筒(1)能够贴靠于所述基座(3)的内壁;
其中,两对平面上分别一一对应地设有骨架安装座(6),在两对平面中,每对平面相邻设置;位于两个骨架安装座(6)之间的平面上设有加强件(11),以能够提高该平面的刚度;
所述线圈骨架(7)设置于所述骨架安装座(6)上,且所述骨架安装座(6)上还设有用于限定所述超导线圈(5)位置的进出线板(8);所述超导线圈(5)绕设于所述线圈骨架(7)上;
所述端盖(4)配设为两组并分别焊接于所述内筒(1)的两端;所述外筒(2)套设于所述基座(3)的外周,且所述外筒(2)的两端分别焊接于所述端盖(4);其中,所述内筒(1)、所述外筒(2)、所述基座(3)和所述端盖(4)这几者的结合处均设有焊缝,以使得所述内筒(1)、所述端盖(4)和所述外筒(2)共同形成一个完全密封的低温液氦容器。
2.根据权利要求1所述的用于超导磁拉单晶硅磁体线圈骨架的定位装配结构,其特征在于,所述基座(3)包括均配设为六个的底板(31)、定位板(33)和六方梁(32),所述定位板(33)由无磁金属材料制成,所述六方梁(32)沿圆周方向均匀间隔排布,所述底板(31)设置于相邻的六方梁(32)之间,且所述底板(31)贴合于所述六方梁(32)的侧面并可拆卸地连接于所述六方梁(32);所述定位板(33)的一端连接于所述六方梁(32),另一端连接于所述内筒(1);所述六方梁(32)的两端分别焊接于两个端盖(4)。
3.根据权利要求2所述的用于超导磁拉单晶硅磁体线圈骨架的定位装配结构,其特征在于,每个底板(31)的两侧设有复数个安装孔,每个六方梁(32)的两侧设有复数个与所述安装孔一一对应设置的螺纹孔;所述定位装配结构还包括复数个与所述螺纹孔一一对应的固定螺钉(91);所述固定螺钉(91)穿过所述安装孔并螺接于所述螺纹孔中,以使得所述底板(31)固定连接于所述六方梁(32)。
4.根据权利要求1所述的用于超导磁拉单晶硅磁体线圈骨架的定位装配结构,其特征在于,所述骨架安装座(6)呈圆环状,包括贴靠于所述基座(3)的内端面和贴靠于所述线圈骨架的外端面;
所述内端面设有复数个第一螺孔,所述第一螺孔呈圆周阵列布置,所述基座(3)上设有复数个且与所述第一螺孔一一对应的第一沉头孔;
所述外端面设有复数个第二螺孔,所述第二螺孔呈圆周阵列布置,所述线圈骨架(7)上设有复数个且与所述第二螺孔一一对应的第二沉头孔;
所述定位装配结构还包括与所述第一螺孔相适配的第一定位螺钉(92)以及与所述第二螺孔相适配的第二定位螺钉(93);
所述第一定位螺钉(92)分别插接于所述第一沉头孔和所述第一螺孔,以使得所述骨架安装座(6)能够以螺纹连接的方式固定连接于所述基座(3);
所述第二定位螺钉(93)分别插接于所述第二沉头孔和所述第二螺孔,以使得所述线圈骨架(7)能够以螺纹连接的方式固定连接于所述骨架安装座(6)的外端面。
5.根据权利要求4所述的用于超导磁拉单晶硅磁体线圈骨架的定位装配结构,其特征在于,所述第一螺孔和所述第二螺孔交错分布;所述骨架安装座(6)焊接于所述基座(3)的平面。
6.根据权利要求1所述的用于超导磁拉单晶硅磁体线圈骨架的定位装配结构,其特征在于,所述加强件(11)包括复数个加强筋板,所述加强筋板相对于所述内筒(1)的轴线方向均匀间隔设置;每个加强筋板均焊接于所述基座(3);每个加强筋板上设有用于安装超导线圈(5)的接线板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都奥创超磁科技有限公司,未经成都奥创超磁科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310225999.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





