[发明专利]一种pump电路在审

专利信息
申请号: 202310174204.6 申请日: 2023-02-28
公开(公告)号: CN116169874A 公开(公告)日: 2023-05-26
发明(设计)人: 刘芳芳;姚翔 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07;G11C16/14;G11C16/30;H02M1/14;H02M1/00;H02M1/088
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 王关根
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 pump 电路
【权利要求书】:

1.一种pump电路,其特征在于,包括分压电路、比较器、时钟控制电路、电荷泵和电源电路;

所述电荷泵的输出端输出第一正电压VPOS,第二正电压VPOSW从所述电荷泵的中间抽头输出;所述分压电路连接在所述第一正电压VPOS和地之间并输出分压DIV;所述比较器比较所述分压DIV和参考电压VREF并输出时钟控制信号;

所述时钟控制信号输入到所述时钟控制电路的控制端,时钟信号PCLK通过所述时钟控制电路输入到所述电荷泵的输入端,所述时钟控制信号调节所述时钟信号PCLK输入到所述电荷泵的幅度,通过对所述时钟信号PCLK的幅度的调节来调节所述第一正电压VPOS和所述第二正电压VPOSW的大小;

所述电源电路包括第一电流路径、第二电流路径和NMOS管N2,所述第一电流路径和第二电流路径都连接在外部总电源和地之间,所述第一电流路径包括串联的第一电流源、MOS管和三极管,所述第二电流路径包括NMOS管N1和第二电流源;所述第一电流源的一端接所述外部总电源,另一端与所述NMOS管N1的栅极和所述NMOS管N2的源极相连,所述NMOS管N2的栅极接所述外部总电源,所述第二正电压VPOSM输出到所述NMOS管N2的漏端,所述NMOS管N1的源极接所述外部总电源,漏极输出所述时钟控制电路和所述电荷泵的电源电压电压VDDI。

2.根据权利要求1所述的pump电路,其特征在于,所述分压电路由多个电阻串联而成。

3.根据权利要求1所述的pump电路,其特征在于,所述比较器的正相输入端连接所述分压DIV,反相输入端连接参考电压VREF。

4.根据权利要求1所述的pump电路,其特征在于,所述第二正电压VPOSW的电压值为所述第一正电压VPOS的一半左右。

5.根据权利要求1所述的pump电路,其特征在于,所述时钟控制电路和所述电荷泵的电源电压电压VDDI无限接近于所述外部总电源。

6.根据权利要求1所述的pump电路,其特征在于,所述外部总电源为VDDA50。

7.根据权利要求1所述的pump电路,其特征在于,所述MOS管为PNMOS管。

8.根据权利要求1所述的pump电路,其特征在于,所述电路还包括滤波电容。

9.根据权利要求8所述的pump电路,其特征在于,所述滤波电容连接在所述第一正电压VPOS的输出端和地之间。

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