[发明专利]一种模具、纳米线、制备方法及晶体管

说明书

本申请实施例提供了一种模具、纳米线、制备方法及晶体管，涉及半导体器件技术领域，以解决目前纳米线制备方法的无法适用于所有材料，具有一定的局限性，存在制备过程复杂，制备难度较高，制备方法通用性较差的问题。所述模具包括：模具本体，所述模具本体包括至少一个条状的凹槽；其中，在垂直于所述凹槽长度延伸方向上的所述凹槽的内径小于或等于100纳米。通过上述凹槽可以制备横向尺寸为纳米级的条状物体，可以通过同一个模具多次制备同种规格的条状物体，通过改变凹槽沿凹槽长度延伸方向上的截面形状和/或垂直于凹槽长度延伸方向上的截面形状，改变凹槽的制备规格，从而可以提高模具的实用性，降低物体的制备难度，提高物体的制备速率。

技术领域

本发明涉及电子器件技术领域，尤其涉及一种模具、纳米线、制备方法及晶体管。

背景技术

低维材料具有巨大的表面积体积比，在纳米级别的尺度下，大量处于表面的具有很高活性的原子就会使材料表现出与宏观大不相同的物理化学性质；另外，当材料尺寸小到一定程度时，粒子的费米能级附近的能级发生分裂，变为离散态，从而光学、电学、热学、磁学等性质发生显著变化。这些效应在纳米电子器件、光电子器件、电化学、电通信、机电、传感器、探测器等领域有广泛研究和应用。纳米线是典型的一维纳米材料，具备上述的种种物理效应，另外还具有独特的各向异性，可以极大程度上提升电子在轴向上的传输速度，因而广泛应用于各种光电元件以及电子学器件。

目前的纳米线制备方法包括水热法、溶剂热法、分子束外延法等，但这些制备方法无法适用于所有材料，具有一定的局限性，存在制备过程复杂，制备难度较高，制备方法通用性较差的问题。

发明内容

本申请实施例提供了一种模具、纳米线、制备方法及晶体管，以解决目前纳米线制备方法的无法适用于所有材料，具有一定的局限性，存在制备过程复杂，制备难度较高，制备方法通用性较差的问题。

本申请实施例的第一方面提供了一种模具，应用于制备纳米线，所述模具包括：

模具本体，所述模具本体包括至少一个条状的凹槽；

其中，在垂直于所述凹槽长度延伸方向上的所述凹槽的内径小于或等于100纳米。

在一些实施方式中，所述凹槽本体包括光刻胶。

本申请实施例的第二方面提供了一种模具的制备方法，包括：

设置模具本体；

在所述模具本体上设置至少一个凹槽，其中，在垂直于所述凹槽长度延伸方向上的所述凹槽的内径小于或等于100纳米。

在一些实施方式中，至少一个所述凹槽为在所述模具本体上刻蚀得到的。

本申请实施例的第三方面还提供了一种纳米线制备方法，采用如上述第一方面中任一种所述的纳米线模具制备，所述方法包括：

在所述模具的凹槽内设置目标材料，以在所述凹槽内形成条状结构；

将所述条状结构从凹槽内取出，得到纳米线。

在一些实施方式中，所述目标材料包括半导体材料和/或金属。

在一些实施方式中，所述在所述模具的凹槽内设置目标材料，以在所述凹槽内形成条状结构，包括：

在所述模具的凹槽内溅射所述目标材料，以在所述凹槽内形成条状结构。

本申请实施例的第四方面还提供了一种纳米线，采用如上述第三方面中任一种所述的纳米线制备方法制备得到。

本申请实施例的第五方面还提供了一种晶体管，包括：

至少一个如上述第四方面所述的纳米线。

在一些实施方式中，所述晶体管的沟道和/或栅极包括所述纳米线。