[发明专利]一种模具、纳米线、制备方法及晶体管在审
| 申请号： | 202310173451.4 | 申请日： | 2023-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN116288185A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 卢年端;耿玓;王桂磊;赵超;李泠 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B82Y40/00;B82Y30/00;H01L29/06;H01L29/41;C23C14/08;C23C14/16 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经济技*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 模具 纳米 制备 方法 晶体管 | ||
1.一种模具，其特征在于，应用于制备纳米线，所述模具包括：
模具本体，所述模具本体包括至少一个条状的凹槽；
其中，在垂直于所述凹槽长度延伸方向上的所述凹槽的内径小于或等于100纳米。
2.如权利要求1所述的模具，其特征在于，
所述凹槽本体包括光刻胶。
3.一种模具的制备方法，其特征在于，包括：
设置模具本体；
在所述模具本体上设置至少一个凹槽，其中，在垂直于所述凹槽长度延伸方向上的所述凹槽的内径小于或等于100纳米。
4.如权利要求3所述的纳米线模具的制备方法，其特征在于，
至少一个所述凹槽为在所述模具本体上刻蚀得到的。
5.一种纳米线制备方法，其特征在于，采用如权利要求1或2所述的纳米线模具制备，所述方法包括：
在所述模具的凹槽内设置目标材料，以在所述凹槽内形成条状结构；
将所述条状结构从凹槽内取出，得到纳米线。
6.如权利要求5所述的纳米线制备方法，其特征在于，所述目标材料包括半导体材料和/或金属。
7.如权利要求5所述的纳米线制备方法，其特征在于，所述在所述模具的凹槽内设置目标材料，以在所述凹槽内形成条状结构，包括：
在所述模具的凹槽内溅射所述目标材料，以在所述凹槽内形成条状结构。
8.一种纳米线，其特征在于，采用如权利要求5至7中任一项所述的纳米线制备方法制备得到。
9.一种晶体管，其特征在于，包括：
至少一个如权利要求8所述的纳米线。
10.如权利要求9所述的晶体管，其特征在于，
所述晶体管的沟道和/或栅极包括所述纳米线。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所，未经北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310173451.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
