[发明专利]提高红外晶片表面薄膜洁净度的沉积方法

权利要求书

1.一种提高红外晶片表面薄膜洁净度的沉积方法，其特征在于，包括：

提供基片台及至少两个固定单元，所述基片台包括铁磁性材质，所述固定单元设有至少一吸附面及至少一固定面，所述固定面与所述吸附面的夹角大于或等于90°，所述吸附面包括磁体材质；

提供红外晶片，所述红外晶片呈多边形状且置于所述基片台上，至少两个所述固定单元的固定面与所述红外晶片的至少两个端面相接触并利用所述固定单元的吸附面将所述红外晶片吸附固定于所述基片台上；

对所述红外晶片执行吹扫；以及，

将固定所述红外晶片的基片台移至沉积设备内执行沉积工艺，以在所述红外晶片的表面沉积所述薄膜。

2.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述薄膜包括金属膜层或介质膜层。

3.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述沉积工艺包括蒸镀工艺或溅射镀工艺。

4.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述固定面包括柔性材质。

5.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述固定单元还包括顶面及内侧面，所述顶面为所述吸附面相对的面，所述内侧面连接所述顶面及所述固定面。

6.根据权利要求5所述的沉积方法，其特征在于，所述内侧面垂于所述吸附面。

7.根据权利要求6所述的沉积方法，其特征在于，所述固定面在垂直于所述吸附面上的高度小于或等于所述红外晶片的厚度。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的沉积方法，其特征在于，所述固定单元呈L型，包括第一部及与所述第一部连接的第二部，所述第一部与所述第二部均包括所述吸附面及所述固定面，所述第一部及所述第二部的固定面与所述红外晶片的相邻两个所述端面相接触，且所述第一部及所述第二部的角度小于或等于所述红外晶片的相邻两个端面的角度。

9.根据权利要求8所述的沉积方法，其特征在于，所述第一部与所述第二部的角度为80°～100°。

10.根据权利要求1至7中任一项所述的沉积方法，其特征在于，所述固定单元呈一字型，至少两个呈一字型的所述固定单元与所述红外晶片的至少两个相对的端面相接触以固定所述红外晶片。