[发明专利]一种基于5G通信N79频段的IPD滤波器及其制作方法

权利要求书

1.一种基于5G通信N79频段的IPD滤波器，其特征在于，包括：信号输入端A、信号输出端B、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电感L1、电感L2、电感L3；

所述信号输入端A与信号输出端B之间串接有所述电容C2和电容C5；

所述信号输入端A与电容C2正极连接的公共端并接在电容C1正极与电感L1信号输入端上，且所述电容C1负极与电感L1信号输出端并联后接地；

所述电容C2负极与电容C5正极连接的公共端连接所述电容C3正极，所述电容C3负极并接在电容C4正极与电感L2信号输入端上，且所述电容C4负极和电感L2信号输出端并联后接地；

所述电容C5负极与信号输出端B连接的公共端并接在电容C6正极与电感L3信号输入端上，且所述电容C6负极与电感L3信号输出端并接后接所述电容C7的正极，所述C7的负极接地。

2.根据权利要求1所述的基于5G通信N79频段的IPD滤波器，其特征在于：所述电感L1采用金属铝进行绕制，所述电感L2、电感L3采用金属铜进行绕制。

3.一种制作方法，用于制作权利要求1或2所述的基于5G通信N79频段的IPD滤波器，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：在硅衬底上化学气相沉积形成绝缘介质层，并对硅衬底的表面进行介质平坦化处理；

步骤2：在绝缘介质层上进行刻蚀，形成金属布线凹槽；

步骤3：在绝缘介质层上进行磁控溅射，形成一层薄的金属种子层；

步骤4：在绝缘介质层表面及金属布线凹槽内进行电镀厚金属层；

步骤5：通过化学机械抛光，将绝缘介质层表面除金属布线凹槽以外区域的金属覆盖层全部磨掉，得到目标厚度的金属布线层；

步骤6：重复步骤1-步骤5，使制作出的第一层金属布线层和第二层金属布线层作为IPD滤波器的电感L2、电感L3，第三层金属布线层金属布线层作为IPD滤波器的电感L1；且上下两层金属布线层之间通过铜柱实现电性连接。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于：所述第一层金属布线层、第二层金属布线层在进行步骤3和步骤4过程中，均采用金属铜完成磁控溅射和电镀作业；所述第三层金属布线层在进行步骤3和步骤4过程中，采用金属铝完成磁控溅射和电镀作业。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于：所述绝缘介质层为四氮化三硅、二氧化硅中的一种。