[发明专利]集成散射结构的成像系统

说明书

本发明公开了一种集成散射结构的成像系统，包含：成像芯片和控制计算设备；成像芯片包含：基板；硅基片，硅基片设置于基板上；若干硅波导，若干硅波导设置于基板上且一端分别连接至硅基片的外周；散射片，散射片的形状与硅基片相匹配且设置于硅基片上，散射片的中心与硅基片的中心重合，散射片小于硅基片，散射片的外周聚与硅基片外周之间形成预设距离；散射片包含硅部和二氧化硅部，硅部和二氧化硅部直接连接至硅基片。本发明提供的集成散射结构的成像系统，集成度高，不需要片外的辅助系统，成本低，且集成散射结构调制速率快，成像速度快。

技术领域

本发明涉及一种集成散射结构的成像系统。

背景技术

单像素成像和鬼成像方法已经广泛应用于成像光学。这类方法需要一个可以产生不同图样的光源，目前常用激光器加上空间光调制器(SLM)或者数字微镜元件(DMD)来进行光波调制，收集物体在不同图样照射下探测器的响应，通过图像恢复算法得到图像。现有技术的缺点在于：难以将激光器和探测器和DMD或者SLM集成，且由于目前SLM和DMD的机制限制，探测速度较低。

发明内容

本发明提供了一种集成散射结构的成像系统解决上述提到的技术问题，具体采用如下的技术方案：

一种集成散射结构的成像系统，包含：

成像芯片；

控制计算设备，连接至所述成像芯片；

所述成像芯片包含：

基板；

硅基片，所述硅基片设置于所述基板上；

若干硅波导，若干所述硅波导设置于所述基板上且一端分别连接至所述硅基片的外周；

散射片，所述散射片的形状与所述硅基片相匹配且设置于所述硅基片上，所述散射片的中心与所述硅基片的中心重合，所述散射片小于所述硅基片，所述散射片的外周聚与所述硅基片外周之间形成预设距离；

所述散射片包含硅部和二氧化硅部，所述硅部和所述二氧化硅部直接连接至所述硅基片。

进一步地，所述成像芯片还包含激光器和光开关；

所述光开关设置于所述基板上；

所述激光器连接至所述光开关；

若干所述硅波导的另一端连接至所述光开关；

所述集成散射结构的成像系统还包含控制电源模块和光电探测器；

所述控制电源模块和所述光电探测器连接至所述控制计算设备；

所述控制电源模块还连接至所述光开关；

所述控制电源模块控制所述光开关的开关。

进一步地，所述成像芯片还包含若干光电探测器；

若干所述光电探测器设置于所述基板上且分别连接至若干所述硅波导的另一端；

所述集成散射结构的成像系统还包含激光器和数据采集器；

所述激光器和所述数据采集器连接至所述控制计算设备；

所述数据采集器连接至若干所述光电探测器。

进一步地，所述成像芯片还包含激光器、若干分束器、若干光电探测器和光开关；

若干所述分束器、若干光电探测器和所述光开关设置于所述基板上；

若干所述分束器分别连接至若干所述硅波导的另一端；

若干所述光电探测器分别连接至若干所述分束器；