[发明专利]集成散射结构的成像系统

权利要求书

1.一种集成散射结构的成像系统，其特征在于，包含：

成像芯片；

控制计算设备，连接至所述成像芯片；

所述成像芯片包含：

基板；

硅基片，所述硅基片设置于所述基板上；

若干硅波导，若干所述硅波导设置于所述基板上且一端分别连接至所述硅基片的外周；

散射片，所述散射片的形状与所述硅基片相匹配且设置于所述硅基片上，所述散射片的中心与所述硅基片的中心重合，所述散射片小于所述硅基片，所述散射片的外周聚与所述硅基片外周之间形成预设距离；

所述散射片包含硅部和二氧化硅部，所述硅部和所述二氧化硅部直接连接至所述硅基片。

2.根据权利要求1所述的集成散射结构的成像系统，其特征在于，

所述成像芯片还包含激光器和光开关；

所述光开关设置于所述基板上；

所述激光器连接至所述光开关；

若干所述硅波导的另一端连接至所述光开关；

所述集成散射结构的成像系统还包含控制电源模块和光电探测器；

所述控制电源模块和所述光电探测器连接至所述控制计算设备；

所述控制电源模块还连接至所述光开关；

所述控制电源模块控制所述光开关的开关。

3.根据权利要求1所述的集成散射结构的成像系统，其特征在于，

所述成像芯片还包含若干光电探测器；

若干所述光电探测器设置于所述基板上且分别连接至若干所述硅波导的另一端；

所述集成散射结构的成像系统还包含激光器和数据采集器；

所述激光器和所述数据采集器连接至所述控制计算设备；

所述数据采集器连接至若干所述光电探测器。

4.根据权利要求1所述的集成散射结构的成像系统，其特征在于，

所述成像芯片还包含激光器、若干分束器、若干光电探测器和光开关；

若干所述分束器、若干光电探测器和所述光开关设置于所述基板上；

若干所述分束器分别连接至若干所述硅波导的另一端；

若干所述光电探测器分别连接至若干所述分束器；

若干所述分束器均连接至所述光开关；

所述集成散射结构的成像系统还包含数据采集器和控制电源模块；

所述数据采集器和所述控制电源模块连接至所述控制计算设备；

所述控制电源模块还连接至所述光开关；

所述数据采集器连接至若干所述光电探测器。

5.根据权利要求1所述的集成散射结构的成像系统，其特征在于，

所述成像芯片还包含若干光电探测器；

若干所述光电探测器设置于所述基板上且分别连接至若干所述硅波导的另一端；

所述集成散射结构的成像系统还包含数据采集器；

所述数据采集器分别连接至所述控制计算设备和若干所述光电探测器。

6.根据权利要求5所述的集成散射结构的成像系统，其特征在于，

所述集成散射结构的成像系统还包含滤光片。

7.根据权利要求1所述的集成散射结构的成像系统，其特征在于，

所述硅基片和所述硅波导的厚度相等。

8.根据权利要求7所述的集成散射结构的成像系统，其特征在于，

所述硅基片和所述硅波导的厚度为220nm；

所述散射片的厚度为600nm。

9.根据权利要求1所述的集成散射结构的成像系统，其特征在于，

所述硅基片和所述散射片均为正方形；

若干所述硅波导的数量为4的倍数，连接至所述硅基片的同一边的所述硅波导的数量相同；

连接至所述硅基片的同一边的所述硅波导间隔相等。

10.根据权利要求1所述的集成散射结构的成像系统，其特征在于，

若干所述硅波导和所述硅基片为一个整体。