[发明专利]一种射频前端模组封装结构在审
申请号: | 202310127145.7 | 申请日: | 2023-02-16 |
公开(公告)号: | CN116314039A | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 朱祥;董元旦;杨涛 | 申请(专利权)人: | 成都频岢微电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/10 | 分类号: | H01L23/10;H01L23/04;H01L25/16;H01L25/18 |
代理公司: | 西安正华恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 61271 | 代理人: | 陈选中 |
地址: | 611730 四川省成都市郫都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 射频 前端 模组 封装 结构 | ||
1.一种射频前端模组封装结构,其特征在于,包括封装盖板(1)和树脂基板(2),所述封装盖板(1)上设置有三个凹槽,所述封装盖板(1)倒扣在树脂基板(2)的上表面以形成三个空腔,第一个所述空腔内设置有第一die(301),第二个所述空腔内设置有第三die(401),第三个所述空腔内设置有第二die(302)。
2.根据权利要求1所述的射频前端模组封装结构,其特征在于,所述封装盖板(1)根据第一die(301)、第二die(302)和第三die(401)的尺寸大小,通过刻蚀工艺形成相对应的凹槽。
3.根据权利要求1所述的射频前端模组封装结构,其特征在于,所述第一die(301)、第二die(302)和第三die(401)均通过SMT焊接在布有微带线以及芯片pad的树脂基板(2)的上表面。
4.根据权利要求1所述的射频前端模组封装结构,其特征在于,所述第一die(301)和第二die(302)均为滤波器或双工器。
5.根据权利要求1所述的射频前端模组封装结构,其特征在于,所述第三die(401)为SOI或CMOS die。
6.根据权利要求1所述的射频前端模组封装结构,其特征在于,所述封装盖板(1)和树脂基板(2)的外表面均封装有molding材料(5)。
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