[发明专利]一种CMOS功率放大及功率控制电路及控制方法

权利要求书

1.一种CMOS功率放大及功率控制电路，其特征在于，包括功率控制电路、第一功率放大器、第二功率放大器和第三功率放大器；

所述第一功率放大器、所述第二功率放大器和所述第三功率放大器分别与所述功率控制电路相连；所述功率控制电路接收控制芯片输出的电压信号后为所述第一功率放大器、第二功率放大器和第三功率放大器提供偏置信号；

所述第一功率放大器、所述第二功率放大器和所述第三功率放大器依次相连，所述第一功率放大器和所述第二功率放大器驱动所述第三功率放大器输出射频输出信号。

2.如权利要求1所述的CMOS功率放大及功率控制电路，其特征在于，所述第一功率放大器电路包括第一NMOS管、第一PMOS管和第一电阻；

射频输入信号与所述第一NMOS管的栅极、第一PMOS管的栅极和所述第一电阻的一端相连；所述第一电阻的另一端与所述第一NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的漏极相连，并作为所述第一功率放大器的输出端，输出第二射频输出信号；所述第一NMOS管的源极接所述偏置信号；所述第一PMOS管的源极接地。

3.如权利要求2所述的CMOS功率放大及功率控制电路，其特征在于，所述第二功率放大器包括第二PMOS管、第一电感和第二电阻；

所述第二PMOS管的栅极接收所述第二射频信号，且与所述第二电阻的一端相连，所述第二电阻的另一端接所述偏置信号；所述第二PMOS管的漏极与所述第一电感的一端相连，并作为所述第二功率放大器的输出端，输出第三射频信号，所述第一电感的另一端与电源相连；所述第二PMOS管的源极接地。

4.如权利要求3所述的CMOS功率放大及功率控制电路，其特征在于，所述第三功率放大器包括第二电感、第三电阻、第三PMOS管和第四PMOS管；

所述第四PMOS管的栅极接收所述第三射频信号；所述第四PMOS管的栅极与所述第三电阻相连后接收所述偏置信号；所述第四PMOS管的漏极与所述第三PMOS管的源极相连，所述第四PMOS管的源极接地；所述第三PMOS管的栅极接第一固定偏置电压；所述第三PMOS管的漏极与所述第二电感的一端相连，并作为所述第三功率放大器的输出端，输出第四射频输出信号；所述第二电感的另一端接电源。

5.如权利要求4所述的CMOS功率放大及功率控制电路，其特征在于，所述第三功率放大器还包括第五PMOS管MP5；

所述第五PMOS管MP5的栅极接第二固定偏置电压；所述第五PMOS管MP5的源极与所述第四PMOS管的漏极相连；所述第五PMOS管MP5的漏极与所述第二电感的一端相连，并作为所述第三功率放大器的输出端，输出所述第四射频输出信号；所述第二电感的另一端接电源。

6.如权利要求5所述的CMOS功率放大及功率控制电路，其特征在于，还包括一幅度检测模块，所述幅度检测模块与所述第三功率放大器的输出端以及所述功率控制电路相连；所述幅度检测模块将所述第三功率放大器输出的所述第四射频信号与设定阈值进行对比，控制所述功率控制电路调整所述偏置信号的大小。

7.如权利要求6所述的CMOS功率放大及功率控制电路，其特征在于，所述幅度检测模块包括第六PMOS管、第一电容和第四电阻；

所述第六PMOS管的漏极与电源相连，所述第六PMOS管的栅极接收所述第四射频输出信号，所述第六PMOS管的源极通过所述第四电阻接地，并作为所述幅度检测模块的输出端，所述输出端输出模拟电压信号；所述第一电容的一端与所述输出端相连，另一端接地。