[发明专利]一种半导体封装方法

说明书

本发明公开了一种半导体封装方法，该方法包括：对基板的封装区的表面进行减薄处理，并在减薄处理的封装区的表面沉积双层的键合介质；将蓝光芯粒、绿光芯粒与红光芯粒按照预设排布规则布置于封装区之上，且与键合介质接触；在温度与压力条件下，向蓝光芯粒、绿光芯粒与红光芯粒施加压力以使蓝光芯粒、绿光芯粒与红光芯粒键合连接至基板之上；对键合后暴露于蓝光芯粒、绿光芯粒与红光芯粒以外的键合介质进行减薄处理使初始厚度减薄至一目标厚度，以使键合介质的厚度等于芯片区的深度，得到RGB显示模组。解决了现有技术中RGB显示模组在封装过程中需要在三个芯粒与基板上分别沉积键合介质，步骤繁琐，导致封装效率处于较低水平的技术问题。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种半导体封装方法。

背景技术

RGB显示模组包括三色芯粒与一基板，即蓝光、绿光与红光芯粒同时固定于基板之上，通电后可以控制其中的一个芯粒发光或者是控制任意几个芯粒同时发光，以发出各种颜色的光。

现有技术中，芯粒与基板通常采用键合工艺实现连接，在键合之前，需要在基板上朝向芯粒一侧的表面以及芯粒上朝向基板一侧的表面分别沉积键合介质，再将芯粒放置于基板之上，以在预设条件下执行键合工艺实现芯粒与基板的键合连接。

然而，单个RGB显示模组至少包括三个芯粒，采用如此键合工艺，则至少需要在三个芯粒以及基板上分别沉积键合介质，键合介质共计需要四次沉积，步骤繁琐，在RGB显示模组生产量大的情况下，该键合工艺将导致封装效率处于较低水平。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种半导体封装方法，以解决现有技术中RGB显示模组在封装过程中需要在三个芯粒与基板上分别沉积键合介质，步骤繁琐，导致RGB显示模组的封装效率处于较低水平的技术问题。

本发明的目的在于提供一种半导体封装方法，所述封装方法用于将蓝光芯粒、绿光芯粒、红光芯粒按照预设排布规则连接至基板上，以得到RGB显示模组，所述封装方法包括：

获取所述基板的几何数据，根据所述基板的几何数据划定所述基板的封装区与非封装区；

对所述基板进行离子注入以在封装区内形成截止层，对所述基板的封装区的表面进行减薄处理至所述截止层，并在减薄处理的所述封装区的表面沉积双层的键合介质，包括沉积于所述封装区的表面之上的第一介质层以及沉积于所述第一介质层之上的第二介质层；其中，对所述基板进行离子注入包括N次离子注入，每次离子注入的离子注入能量均相等，向所述基板进行离子注入的离子包括碳离子；

将所述蓝光芯粒、绿光芯粒与所述红光芯粒按照预设排布规则布置于所述封装区之上，且与所述第二介质层接触；

在第一温度与第一压力的条件下，向所述蓝光芯粒、绿光芯粒与所述红光芯粒施加压力以使所述蓝光芯粒、绿光芯粒与所述红光芯粒键合连接至所述第二介质层之上，在第二温度与第二压力的条件下，向所述蓝光芯粒、绿光芯粒与所述红光芯粒施加压力以使所述第二介质层通过所述第一介质层键合连接至所述基板之上；

对键合后暴露于所述蓝光芯粒、绿光芯粒与所述红光芯粒以外的所述键合介质进行减薄处理使初始厚度减薄至一目标厚度，以使所述键合介质的厚度等于所述封装区的深度，得到所述RGB显示模组。

根据上述技术方案的一方面，对所述基板进行离子注入以在封装区内形成截止层，对所述基板的封装区的表面进行减薄处理至所述截止层，并在减薄处理的所述封装区的表面沉积双层的键合介质，包括沉积于所述封装区的表面之上的第一介质层以及沉积于所述第一介质层之上的第二介质层；其中，对所述基板进行离子注入包括N次离子注入，每次离子注入的离子注入能量均相等，向所述基板进行离子注入的离子包括碳离子的步骤，具体包括：

对所述基板进行离子注入以在所述基板内形成截止层；

根据所述基板的几何数据，在所述基板的第一表面覆盖能够暴露出所述封装区的表面的耐酸防护膜；